发明专利已授权

含半绝缘区的IGBT及其制备方法

Name: 含半绝缘区的IGBT及其制备方法
Brand: 安徽工业大学
SKU: 201810447426X
Availability: InStock

📄 申请号：CN201810447426.X 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-05-11

公开号

CN108417623A

公开日

2018-08-17

申请人

安徽工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L29_06 , H01L21_331 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体器件结构半导体制造工艺

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 风力发电, 工业控制, 轨道交通

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摘要

本发明公开了含半绝缘区的IGBT及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。含半绝缘区的IGBT，半绝缘区位于并排设置的第一导电类型半导体掺杂的基区和第二导电类型半导体掺杂的发射区的下方，半绝缘区的底部和侧面均与第二导电类型半导体掺杂的漂移层接触。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区域，浅基区是在半绝缘区域上方依靠离子注入第一导电类型的杂质形成。针对现有技术中IGBT短路时失效快的问题，本发明提出含半绝缘区的IGBT及其制备方法。它可以大幅提高IGBT的短路生存时间，大幅提高其鲁棒性，大幅提高IGBT变换器装置的可靠性。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210202

✅ 授权

20180911

?? 实质审查的生效：

20180817

📄 公开

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