发明专利已授权

含半绝缘区的IGBT及其制备方法

📄 申请号：CN201810447426.X 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-05-11

公开号

CN108417623A

公开日

2018-08-17

申请人

安徽工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L29_06 , H01L21_331 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体器件结构半导体制造工艺

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 风力发电, 工业控制, 轨道交通

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明公开了含半绝缘区的IGBT及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。含半绝缘区的IGBT，半绝缘区位于并排设置的第一导电类型半导体掺杂的基区和第二导电类型半导体掺杂的发射区的下方，半绝缘区的底部和侧面均与第二导电类型半导体掺杂的漂移层接触。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区域，浅基区是在半绝缘区域上方依靠离子注入第一导电类型的杂质形成。针对现有技术中IGBT短路时失效快的问题，本发明提出含半绝缘区的IGBT及其制备方法。它可以大幅提高IGBT的短路生存时间，大幅提高其鲁棒性，大幅提高IGBT变换器装置的可靠性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210202

✅ 授权

20180911

?? 实质审查的生效：

20180817

📄 公开

一种聚酯树脂固体润滑块及其制备方法

当前第 / 件

一种用于研究碳纳米管生长的实验装置及方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_739)

H01L29_06 H01L29_08 H01L29_10 H01L29_20 H01L29_24 H01L29_40 H01L29_41 H01L29_417 H01L29_423 H01L29_47 H01L29_51 H01L29_73 H01L29_737 H01L29_739 H01L29_74 H01L29_745 H01L29_772 H01L29_778 H01L29_78 H01L29_786 H01L29_788 H01L29_861 H01L29_868 H01L29_872 H01L29_88 H01L29_93 覆盖26个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：13 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)