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一种SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构

Name: 一种SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构
Brand: 重庆邮电大学
SKU: 2020100929066
Availability: InStock

📄 申请号：CN202010092906.6 📄 发布日：2026/07/20

著录项目信息

申请日

2020-02-14

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_872

IPC 分类号

技术画像

所属领域

碳化硅功率器件碳化硅功率器件肖特基二极管结终端结构

应用场景

电力电子, 新能源汽车, 光伏逆变器, 工业控制, 高频电源

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摘要

本发明涉及一种SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构，属于半导体功率器件技术领域。该三阶斜台面结终端结构包括阳极金属Ni接触区、三阶斜台面金属Ni场板、氮化层Si3N4、氧化层SiO2、N‑低浓度外延层、N+高浓度衬底、阴极金属Ni接触区。该结终端结构特点在于：阳极金属Ni接触区1和三阶斜台面金属Ni场板短接在一起，分别作为元胞区阳极和结终端金属场板。氧化层SiO2夹在氮化层Si3N4中间，形成三明治结构。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过利用三阶斜台面场板结终端区结构，能够有效地提高器件的反向击穿电压。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号：

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：46 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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