发明专利已授权

一种场限环-负斜角复合终端结构

📄 申请号：CN201310695943.6 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2013-12-17

公开号

CN103745987B

公开日

2016-06-22

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_40 ,

技术画像

所属领域

半导体功率器件半导体功率器件功率器件终端结构高压器件设计

应用场景

高压功率半导体器件, 电力电子, 新能源汽车, 智能电网, 工业控制

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摘要

本发明公开了一种场限环-负斜角复合终端结构，将芯片的中央区域作为有源区，将有源区外围区域作为终端区，有源区和终端区共同的n-衬底下方设置有n型场阻止层，在n型场阻止层下方设置有p+阳极区及阳极；有源区中，n-基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n-基区相邻的是波状p基区，p基区上面为p+基区，p+基区中央设置有一个阴极n+发射区，每个n+发射区上方设有阴极；p+基区上方设有门极，并且整个门极环绕在所包围的阴极n+发射区的周围；在终端区的n-衬底内，在主结外侧设了至少一个p型场限环，并在场限环上面有一个负斜角，斜面上覆有钝化层。本发明的场限环-负斜角复合终端结构具有更好的高温稳定性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20160622

✅ 授权

20140521

?? 实质审查的生效：

20140423

📄 公开

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