发明专利已授权

一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管

Name: 一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2016110945800
Availability: InStock

📄 申请号：CN201611094580.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-12-02

公开号

CN106601788B

公开日

2020-08-11

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_772 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件辐射加固技术 MOS晶体管

应用场景

航天电子, 核工业电子设备, 国防军工电子系统, 高能物理实验设备

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摘要

本发明公开了一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其源区、漏区和栅极分布在一个有源区之内；所述栅极呈字母“Z”字形且将有源区分隔成源区和漏区；所述源区和漏区之间没有相交区域且被“Z”字形栅极半包围；栅极下是栅氧化层结构，且栅氧化层厚度小于12nm。本发明的结构通过引入额外的Z形栅，使得场氧结构仅与有源区中的漏区或者源区之一相邻，无法形成完整的电流路径，因而消除了边缘寄生漏电路径，实现了抗总剂量辐射加固的目的。本发明的结构在有效消除由总剂量效应引起的寄生漏电的同时，与传统加固结构相比，能实现更小的宽长比MOS晶体管，且栅电容更小，驱动电流更大，占版图面积更小。

常见问题

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是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN106601788B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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