发明专利已授权

一种横向变掺杂-结终端延伸复合终端结构及其制造方法

Name: 一种横向变掺杂-结终端延伸复合终端结构及其制造方法
Brand: 西安理工大学
SKU: 2018103802680
Availability: InStock

📄 申请号：CN201810380268.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-04-25

公开号

CN108598150A

公开日

2018-09-28

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_417 , H01L29_66 , H01L29_74 , H01L21_332 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体终端结构半导体制造工艺

应用场景

电力电子, 新能源汽车, 智能电网, 工业控制

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摘要

本发明公开了一种横向变掺杂-结终端延伸复合终端结构，以GCT为例，终端区和有源区有共同的n-衬底及其下方的n型FS层、p+阳极区及阳极电极；在有源区主结的外侧，依次设置有一个电阻区、一个横向变掺杂区和一个结终端延伸区，且该横向变掺杂区与结终端延伸区相互交叠，终端区表面覆盖有两层钝化膜；该电阻区将主结和该复合终端区连接为一体。本发明还公开了该种横向变掺杂-结终端延伸复合终端结构的制造方法。本发明的复合终端结构，不仅可获得约91％的耐压效率，高温漏电流小、终端稳定性高，而且制作工艺与有源区完全兼容，不会增加器件制备过程中的工艺难度和成本，不论是方形芯片还是圆形芯片的深结器件均适用。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210615

✅ 授权

20181026

?? 实质审查的生效：

20180928

📄 公开

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