发明专利已授权

一种具有多种部分埋层的绝缘层上硅LDMOS晶体管

📄 申请号：CN201810410509.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-05-02

公开号

CN108598167B

公开日

2021-02-09

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_78

IPC 分类号

H01L29_78 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘层上硅技术半导体器件结构

应用场景

功率集成电路, 射频通信, 电源管理, 汽车电子

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明公开了一种具有多种部分埋层的绝缘层上硅LDMOS晶体管。本发明衬底层上为全埋氧层；全埋氧层上为硅膜层；源区和硅体位于硅膜层一侧，且源区位于硅膜层顶部；漂移区、漏区、部分埋氧层、部分P型硅埋层和部分N型硅埋层位于硅膜层另一侧，且漏区位于硅膜层顶部；漏区、部分埋氧层、部分P型硅埋层和部分N型硅埋层之间的区域为漂移区；部分P型硅埋层位于部分埋氧层上面，部分埋氧层长度大于部分P型硅埋层长度；沟道由源区和漂移区之间的硅体提供；器件顶层包括栅氧化层、扩展氧化层、源电极、栅电极和漏电极；栅氧化层位于沟道上面；扩展氧化层位于漂移区上面；栅氧化层被栅电极全部覆盖。本发明的击穿电压和导通电阻性能更加优越。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种加压二氧化碳重整甲烷的镍基催化剂

当前第 / 件

一种基于分级的群体智能频谱切换方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_78)

H01L29_06 H01L29_08 H01L29_10 H01L29_20 H01L29_24 H01L29_40 H01L29_41 H01L29_417 H01L29_423 H01L29_47 H01L29_51 H01L29_73 H01L29_737 H01L29_739 H01L29_74 H01L29_745 H01L29_772 H01L29_778 H01L29_78 H01L29_786 H01L29_788 H01L29_861 H01L29_868 H01L29_872 H01L29_88 H01L29_93 覆盖26个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：27 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)