发明专利已授权

一种多谐GaN/AlGaN共振隧穿二极管

📄 申请号：CN201811276770.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-10-30

公开号

CN109545861B

公开日

2022-04-01

申请人

杭州东沃电子科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_88

IPC 分类号

H01L29_88 , H01L29_20 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

共振隧穿二极管共振隧穿二极管氮化镓半导体器件化合物半导体器件

应用场景

高频通信, 太赫兹探测, 雷达系统, 高速集成电路, 射频电子器件

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摘要

本发明涉及一种多谐GaN/AlGaN共振隧穿二极管。本发明包括GaN基底、AlN缓冲层、n+‑GaN集电区层、i‑GaN第一隔离层、i‑AlGaN第一势垒层、i‑GaN量子阱层、i‑AlGaN第二势垒层、i‑GaN或者i‑InGaN第二隔离层、n+‑GaN发射区层、AlN钝化层、集电区金属电极引脚与发射区金属电极引脚。本发明针对现有技术的不足，提供一种具有多电流振荡峰‑谷的多谐GaN/AlGaN共振隧穿二极管,具有足够明显且可实用的多个负微分电阻区伏安特性，且其伏安特性在足够低的正偏压下的多个负微分电阻区具有适当的峰值电流与谷值电流比,能够实现更丰富多彩的多值逻辑电路及其应用系统。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

工业机器人内置型线束磨损及加速磨损测试方法与装置

当前第 / 件

一种船用多功能导轨

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_88)

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