发明专利已授权

一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管

📄 申请号：CN201911050306.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-10-30

公开号

CN110828565B

公开日

2022-03-15

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_778

IPC 分类号

H01L29_778 , H01L29_10 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

氮化镓器件氮化镓器件功率半导体场效应晶体管

应用场景

电力电子, 电源转换, 新能源汽车, 5G通信基站, 数据中心

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摘要

本发明公开了一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管,P型埋层位于缓冲层中，所述第二势垒层和第二沟道层相接触形成二维电子气并与漏极相连，所述漏场板位于钝化层上并向栅极延伸，栅场板位于钝化层上并向漏极延伸。本发明提工作于关态高压时，第二势垒层与第二沟道层形成二维电子气与漏极相连，在栅漏之间引入了新的峰值电场，降低了漏极场板的的峰值电场，P型埋层的加入可以降低栅极场板处的峰值电场使栅漏之间的电场分布更加均匀，进一步的改善了栅漏之间的电场分布，并且P型埋层还降低了器件的泄漏电流，最终使该结构器件相对于传统的场板AlGaN/GaN绝缘栅场效应晶体管，耐压特性上有明显的改善。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

土壤中不同粒径微塑料的分离装置及分离方法

当前第 / 件

一种分布式装配式置换流水车间调度优化方法及系统

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_778)

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