发明专利已授权

一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管

📄 申请号：CN202010065699.5 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-01-20

申请人

南京晟芯半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_861

IPC 分类号

H01L29_861 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

碳化硅功率器件碳化硅功率器件功率半导体器件异质结

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 电力电子变换器, 充电桩, 工业电机驱动

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摘要

本发明公开了一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管，包括衬底，衬底上依次为n‑SiC缓冲层、n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上端面覆盖有阳极，衬底下端面覆盖有阴极，n‑SiC漂移区上表面靠近阳极位置处间隔镶嵌有若干p‑NiO结区。本发明解决了现有技术中存在的SiC MPS二极管正向开启电压过高、通态电阻过大的问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220826

✅ 授权

20200630

?? 实质审查的生效：

20200605

📄 公开

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