发明专利已授权

InP PHEMT外延结构及其制备方法

Name: InP PHEMT外延结构及其制备方法
Brand: 湖北文理学院
SKU: 2021100156306
Availability: InStock

📄 申请号：CN202110015630.6 📄 发布日：2026/07/07

著录项目信息

申请日

2021-01-06

公开号

CN112736132B

公开日

2023-06-20

申请人

湖北文理学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_20 , H01L29_778 , H01L21_335 ,

技术画像

所属领域

半导体外延生长半导体外延生长高电子迁移率晶体管化合物半导体器件

应用场景

5G通信, 卫星通信, 毫米波雷达, 射频前端, 低噪声放大器

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摘要

本发明公开了一种InP PHEMT外延结构及其制备方法，所述外延结构包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、递变缓冲层、沟道层、隔离层、Si平面掺杂层、势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层，所述递变缓冲层的材料为InxA11‑xAs，其中，x自所述递变缓冲层的下端至上端由0.52至0.8依次连续递增，所述沟道层的材料为InyGa1‑yAs，0.8≤y≤1。由于递变缓冲层中的In组分连续递变，增大了虚拟衬底的晶格常数且晶格常数缓慢变大，有利于生长高质量高In组分的沟道层，提到了InP PHEMT外延结构二维电子气的电子迁移率。

常见问题

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是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN112736132B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230620

✅ 授权

20210521

?? 实质审查的生效：

20210430

📄 公开

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