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发明专利
已授权
一种低功耗的横向阶梯分离栅器件结构
📄 申请号:CN202110994084.5
📄 发布日:2026/05/25
著录项目信息
申请日
2021-08-27
公开号
CN113948574B
公开日
2023-09-29
申请人
长沙理工大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L29_78
IPC 分类号
H01L29_78
,
H01L29_423
,
技术画像
所属领域
功率半导体器件
功率半导体器件
半导体器件结构
集成电路制造
应用场景
电源管理, 功率集成电路, 电力电子设备, 汽车电子, 工业控制
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摘要
本发明属于功率半导体技术领域,具体涉及一种低功耗的横向阶梯分离栅器件结构。本发明主要特征在于:具有两个阶梯的分离栅且阶梯分离栅位于N漂移区的氧化槽中,中间用二氧化硅相互隔离并且以阶梯状分布;两个平面栅以镶嵌在氧化槽中的槽栅为中心呈两边对称分布;P条、N漂移区和氧化槽在Z方向上交替排列。本发明降低了开关损耗,主要缓解了槽型器件中的比导通电阻和栅漏电荷矛盾关系,同时优化电荷平衡,提高终端结构的耐压。本发明能在保证器件整体有较大耐压的同时也能显著的减小比导通电阻(静态损耗)和栅漏电荷(动态损耗)。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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