发明专利已授权

一种异质结双极晶体管及其制备方法

📄 申请号：CN202010215352.4 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2020-03-24

公开号

CN111244169B

公开日

2021-03-19

申请人

燕山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_737

IPC 分类号

H01L29_737 , H01L29_08 , H01L21_331 ,

技术画像

所属领域

异质结双极晶体管半导体器件异质结器件半导体制造工艺异质结双极晶体管

应用场景

射频通信, 微波电路, 功率放大器, 光通信, 雷达系统

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摘要

本发明提供一种异质结双极晶体管及其制备方法。本发明的异质结双极晶体管由于发射区和基区具有相同的物理结构，有效的降低了发射区和基区之间的寄生效应，提高了器件的频率特性；发射区宽度90纳米，有效降低了基区的本征电阻；集电区两侧采用嵌入式SiGe结构，在双轴应变的同时引入了单轴应变，将有效的降低载流子在集电区的传输时间，该结构同时减小了有效集电区宽度，降低了集电结电容，进一步提高了器件的频率特性；适当的选择Si帽层的厚度，可以有效降低界面处载流子的堆积，提高器件的增益；同时该双极晶体管的制备方法完全可以和90纳米的CMOS工艺兼容，有效的降低了器件的开发和制作成本。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

基于带电方式的颗粒尺寸测量装置

当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：84 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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