发明专利已授权

一种SOI-LIGBT器件及其制备方法

📄 申请号：CN201710096610.X 📄 发布日：2026/07/15

著录项目信息

申请日

2017-02-22

公开号

CN107017282A

公开日

2017-08-04

申请人

南京邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_739 , H01L21_331 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件 SOI工艺绝缘栅双极晶体管

应用场景

电力电子, 电源转换, 新能源汽车, 工业控制, 智能电网

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摘要

本发明提供了一种基于绝缘体上硅（SOI）使用到阳极弱反型层的新型横向绝缘栅双极晶体管（AWIL‑LIGBT）及其制备方法，采用阳极弱反型结构用来消除负阻效应。相对于常规SA‑LIGBT，本发明阳极多了一个栅板，还有一个P体区2，介于反型所形成的高电阻，阳极P+中的空穴可以更快的注入漂移区，从而消除负阻效应。对比普通SA‑LIGBT，本发明在关断速度不变同时击穿电压提升的情况下，消除了阳极短路LIGBT(SA‑LIGBT)在导通过程中会出现的负阻效应。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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