发明专利已授权

一种逆导双极型晶体管

📄 申请号：CN201811273074.7 📄 发布日：2026/06/01

著录项目信息

申请日

2018-10-30

公开号

CN109449202B

公开日

2021-10-22

申请人

广州工商学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L29_06 , H01L29_40 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件双极型晶体管半导体器件

应用场景

电力电子变换, 新能源发电, 电动汽车, 工业电机驱动, 智能电网

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摘要

本发明公开了一种逆导双极型晶体管，属于半导体器件技术领域，本发明相比于传统逆导IGBT结构，在集电极侧设置了集电极侧部分超结结构和集电极短路沟槽结构，同时移除了N‑缓冲层结构。在反向导通状态下，集电极侧部分超结的横向耗尽使得P‑柱发生穿通效应，触发NPNP晶闸管开启以实现逆导。在正向导通下，集电极侧部分超结横向扩散形成电势势垒层、集电极短路沟槽结构作为介质阻挡层，二者共同作用使得电子存储在P‑集电区/N‑柱结附近，直至该PN结导通，极大抑制了snapback现象。同时，本发明有效地利用了P‑集电区的面积，获得了导通压降的降低。本发明的有益效果为，在不明显影响器件其他性能的前提下，有效地抑制了snapback现象，且获得了低功率损耗。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种用于智能家具上的多功能音箱

当前第 / 件

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