发明专利已授权

一种具有超低导通压降的高速IGBT器件

📄 申请号：CN201910293422.5 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2019-04-12

公开号

CN110137250B

公开日

2020-12-29

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件 IGBT技术电力电子器件

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 工业电机驱动, 轨道交通牵引, 智能电网

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摘要

本发明涉及功率半导体领域，提供一种具有超低导通压降的高速IGBT器件，用以克服现有具有载流子存储层的槽栅IGBT导通压降高、关断速度低、短路安全工作区小以及栅驱动损耗大的问题。本发明IGBT器件通过使用相同的工艺掺杂在硅片表面集成两个串联二极管用于钳位P型电场屏蔽层的电位，从而CSL层的掺杂浓度可以提高3‑4个数量级；CSL层重掺杂极大地提高了IGBT发射极的电子注入效率，从而在较低的沟道密度情况下，极大地提高了IGBT的导通压降和关断损耗的折中关系；同时，由于二极管的钳位作用，使得IGBT的nMOS沟道附近的漏极在高压大电流下被钳位在较低的电压，从而使得新型IGBT的饱和电流密度很大程度地降低，从而提高了IGBT的短路安全工作区。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20201229

✅ 授权

20190910

?? 实质审查的生效：

20190816

📄 公开

一种温度辅助认证的认证方法

当前第 / 件

具有二极管钳位载流子存储层的SOI LIGBT器件

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