发明专利已授权

一种HEMT器件

Name: 一种HEMT器件
Brand: 电子科技大学
SKU: 202110128642X
Availability: InStock

📄 申请号：CN202110128642.X 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2021-01-29

公开号

CN112885896A

公开日

2021-06-01

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_417

IPC 分类号

H01L29_417 , H01L29_778 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件高电子迁移率晶体管功率半导体

应用场景

射频通信, 5G通信, 雷达系统, 功率放大, 微波器件

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明公开了一种HEMT器件，通过在源极一侧设置肖特基金属和欧姆接触金属，实现HEMT单元胞集成低导通压降、低泄漏电流的反并联肖特基二极管。本发明通过肖特基金属和半导体接触的位置的特殊设计，保证了器件有源区长度不会增加，并且在器件导通时，栅极下形成的沟道将原本隔离的肖特基金属周围的有源区和欧姆接触金属电气连接起来，从而充分利用器件的有源区进行导电，保证比传统单一的HEMT的导通电阻增加的值最小。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN112885896A

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220701

✅ 授权

20210618

?? 实质审查的生效：

20210601

📄 公开

一种行波管及其分段式交错双栅慢波结构

当前第 / 件

一种多周期体声波磁电天线

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_417)

H01L29_06 H01L29_08 H01L29_10 H01L29_20 H01L29_24 H01L29_40 H01L29_41 H01L29_417 H01L29_423 H01L29_47 H01L29_51 H01L29_72 H01L29_73 H01L29_737 H01L29_739 H01L29_74 H01L29_745 H01L29_772 H01L29_778 H01L29_78 H01L29_786 H01L29_861 H01L29_868 H01L29_872 H01L29_88 H01L29_93 覆盖26个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：134 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 2657件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)

一种HEMT器件

著录项目信息

技术画像

所属领域

应用场景

摘要

常见问题

这项专利是否已经下证？

购买这项专利需要经过哪些流程？

该专利的转让价格是多少？

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_417)

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

一种具有量子干涉效应的化合物及包含其的单分子场效应晶体管

一种基于多神经形态行为的神经元电路及类脑计算系统

一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件

服务项目

资源中心

关于柿子坊