发明专利已授权

一种具有多晶硅电子通道的SA-LIGBT器件

📄 申请号：CN202010658965.5 📄 发布日：2026/04/16

著录项目信息

申请日

2020-07-09

公开号

CN111769159B

公开日

2024-05-28

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

多晶硅功率半导体器件绝缘栅双极晶体管半导体器件结构多晶硅

应用场景

电力电子, 新能源发电, 工业控制, 智能电网, 电动汽车

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摘要

本发明涉及一种具有多晶硅电子通道的SA‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括P型衬底、SOI隔离层、阴极、P+阴极、P‑body、N+电子发射极、栅极、栅氧化层、N型漂移区和阳极区域；阳极区域从左至右包括N‑buffer、P+阳极、阳极、多晶硅层、N+阳极和阳极，还包括设置在多晶硅层左/右侧下表面的浮空层，以及设置在多晶硅层下表面的二氧化硅隔离层，其中浮空层与二氧化硅隔离层左/右接触。本发明器件正向导通时，通过调节多晶硅层的掺杂浓度改变电子流动路径上的电阻，进而抑制snapback效应。关断时，漂移区中的大量电子可通过多晶硅层电子通道被N+阳极迅速抽取，有效降低了器件的关断损耗。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240528

✅ 授权

20201030

?? 实质审查的生效：

20201013

📄 公开

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