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本实用新型公开了一种用于多晶硅用切割硅芯脱胶的装置，属于硅芯加工技术领域，针对了硅芯仅靠浸泡脱胶效率低且脱胶后需要人工对胶体进行打捞收集的问题，包括卡槽，卡槽分别设置在酸洗池内左右两壁中部上侧，卡槽内侧均滑动连接有卡块，卡块分别固定在滤网左右侧壁中部，卡块顶壁中侧均固定有提环；本实用新型通过将切割后的硅片卡合在硅片安装槽内侧放入酸洗池内部进行脱胶，脱胶完成后胶体与硅片分离并掉落至滤网上侧，之后通过向上拉动两组安装板，使连接块与连接槽分离后解除对滤网的限制，之后向上拉动提环使卡块在卡槽内部向上滑动，从而将滤网从酸洗池上拆卸下来，对其上侧胶体进行收集处理。

本发明涉及一种具有多晶硅电子通道的SA‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括P型衬底、SOI隔离层、阴极、P+阴极、P‑body、N+电子发射极、栅极、栅氧化层、N型漂移区和阳极区域；阳极区域从左至右包括N‑buffer、P+阳极、阳极、多晶硅层、N+阳极和阳极，还包括设置在多晶硅层左/右侧下表面的浮空层，以及设置在多晶硅层下表面的二氧化硅隔离层，其中浮空层与二氧化硅隔离层左/右接触。本发明器件正向导通时，通过调节多晶硅层的掺杂浓度改变电子流动路径上的电阻，进而抑制snapback效应。关断时，漂移区中的大量电子可通过多晶硅层电子通道被N+阳极迅速抽取，有效降低了器件的关断损耗。