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发明专利
已授权
一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件
📄 申请号:CN202210392572.3
📄 发布日:2026/04/01
著录项目信息
申请日
2022-04-15
公开号
CN114899216A
公开日
2022-08-12
申请人
南京文采工业智能研究院有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L29_06
IPC 分类号
H01L29_06
,
H01L29_417
,
H01L29_49
,
技术画像
所属领域
功率半导体器件
功率半导体器件
高压功率器件
电力电子器件
应用场景
电力电子变换, 新能源发电, 电动汽车, 工业控制, 智能电网
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摘要
本发明涉及功率器件技术领域,且公开了一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件,包括硅片主体和基体层,所述基体层位于所述硅片主体的内部,所述硅片主体的内部开设有漂移层,所述漂移层位于所述基体层的底部,所述漂移层的内壁电镀有氧化硅,所述漂移层的底部开设有扩容槽,所述漂移层的底部固定安装有衬底,所述硅片主体的内部开设有沟槽,所述衬底的底部固定安装有漏极金属层,所述基体层的顶部固定安装有源极金属层。通过在漂移层内壁开设扩容槽,从而增大漂移层的面积,且硅片主体尺寸并不会增大,实现了功率器件具备超低比导通电阻特性的前提下,保证硅片主体尺寸不变大的效果。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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当前第 / 件
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