发明专利已授权

一种衬底集成反并联续流二极管的RC-LIGBT器件

📄 申请号：CN202111061265.9 📄 发布日：2026/06/04

著录项目信息

申请日

2021-09-10

公开号

CN113782592B

公开日

2023-08-29

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_739 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘栅双极晶体管半导体集成器件

应用场景

电力电子变换器, 新能源汽车, 智能电网, 电机驱动, 光伏逆变器

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摘要

本发明涉及一种衬底集成反并联续流二极管的RC‑LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。该器件包括由P+发射极、N+电子发射极、P‑body、N型漂移区、缓冲层和P型集电极形成的IGBT导电区域；由P+发射极、P型衬底和N型集电极形成的PIN续流二极管导电区域。正向导通时，IGBT导电区域工作，无负阻效应且导通压降低；反向导通时，PIN续流二极管导电区域工作，提供空穴电流路径实现二极管的集成。本发明消除了传统RC‑LIGBT的负阻Snapback效应，同时能够大大降低关断损耗。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种融合多头注意力机制和相对位置编码的知识库问答方法

当前第 / 件

基于两层级联相控技术的2比特电磁表面单元

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_06)

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