发明专利已授权

一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管

📄 申请号：CN202110812047.8 📄 发布日：2026/06/04

著录项目信息

申请日

2021-07-19

公开号

CN113540224A

公开日

2021-10-22

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L29_20 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件氮化镓器件绝缘栅双极型晶体管

应用场景

电力电子, 新能源汽车, 工业控制, 光伏逆变器, 储能系统

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摘要

本发明涉及一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构，左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ和发射极金属接触区Ⅱ。本发明基于N+型GaN衬底材料上，从上至下采用P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构，综合提升导通电阻、关断时间等器件电学特性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230324

✅ 授权

20211109

?? 实质审查的生效：

20211022

📄 公开

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