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摘 要:本发明公开了一种铝镓氮基紫外发光二极管外延层结构,包括由下至上依次叠置的蓝宝石衬底、成核层、Alx1Ga1‑x1N过渡层、Alx2Ga1‑x2N缓冲层、Alx3Ga1‑x3N缓冲层、Alx4Ga1‑x4N缓冲层、n型Alx5Ga1‑x5N层、Alx6Ga1‑x6N/Alx7Ga1‑x7N多量子阱层、p型Alx8Ga1‑x8N电子阻挡层、p型Alx9Ga1‑x9N层、p型Alx10Ga1‑x10N层和p型Alx11Ga1‑x11N层,所述Alx1Ga1‑x1N过渡层远离所述蓝宝石衬底的一面均匀设置有纳米级凹腔结构,0<x1≤x2<x3≤x4≤x5<1,0<x11<x10≤x9≤x8<1,0<x7<x5≤x6<1,x9≤x5。本发明还公开了铝镓氮基紫外发光二极管外延层结构的制备方法。本发明铝镓氮基紫外发光二极管外延层结构,解决AlGaN基薄膜内部的各种缺陷密度过高、掺杂困难、发光效率普遍较低等不足,提高出光效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110249380.2 | 专利名称: | 一种铝镓氮基紫外发光二极管外延层结构及其制备方法 |
申请日: | 2021-03-08 | 申请/专利权人 | 常熟理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市常熟市南三环路99号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/06搜分类 电子元器件 发光二极管 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |