发明专利已授权

一种实现短波长紫外LED的外延结构

📄 申请号：CN201710170540.8 📄 发布日：2026/02/22

著录项目信息

申请日

2017-03-21

公开号

CN106910802B

公开日

2023-12-29

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_02

IPC 分类号

H01L33_02 , H01L33_32 , H01L33_14 ,

技术画像

所属领域

紫外LED 紫外LED 半导体外延结构氮化物半导体材料

应用场景

杀菌消毒, 水处理, 光固化, 生物医疗, 生化检测

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摘要

本发明公开了一种实现短波长紫外LED的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层和P型GaN层，所述衬底为蓝宝石衬底，所述GaN缓冲层的厚度为20～25nm，生长温度为530‑550℃，并在1030‑1080℃恒温6‑8分钟使GaN缓冲层重结晶，所述未掺杂的GaN层的厚度为2.0～2.5μm，生长温度为1030‑1080℃，所述掺杂N型GaN层的厚度为2.5‑3μm，生长温度为1030‑1080℃。本发明采用渐变P型AlGaN层，能减少极化效应，削弱电子阻挡层EBL到P型层之间的能带弯曲，使得红移现象得到改善，呈现更短的发光波长，发光强度也随之增大。

权利要求书 (12项) 说明书附图

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图1

图2

图3

法律状态时间线

一种大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构

当前第 / 件

一种提高紫外LED光输出功率的外延结构

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