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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201710170540.8 | 专利名称: | 一种实现短波长紫外LED的外延结构 |
申请日: | 2017-03-21 | 申请/专利权人 | 广东工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省广州市越秀区东风东路729号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号: | H01L33/02 分类检索 |
公开/公告日: | 2023-12-29 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN106910802B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
浏览量: | 3 | 所属领域: | 半导体照明技术 光电子材料与器件专利转让搜索 |
应用场景:水/空气净化消毒;生物医学灭菌;紫外线固化工艺
摘 要:本发明公开了一种实现短波长紫外LED的外延结构,所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层和P型GaN层,所述衬底为蓝宝石衬底,所述GaN缓冲层的厚度为20~25nm,生长温度为530‑550℃,并在1030‑1080℃恒温6‑8分钟使GaN缓冲层重结晶,所述未掺杂的GaN层的厚度为2.0~2.5μm,生长温度为1030‑1080℃,所述掺杂N型GaN层的厚度为2.5‑3μm,生长温度为1030‑1080℃。本发明采用渐变P型AlGaN层,能减少极化效应,削弱电子阻挡层EBL到P型层之间的能带弯曲,使得红移现象得到改善,呈现更短的发光波长,发光强度也随之增大。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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