发明专利已授权

一种发光二极管及其制作方法

📄 申请号：CN201811278391.8 📄 发布日：2026/02/22

著录项目信息

申请日

2018-10-30

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_00

IPC 分类号

H01L33_00 , H01L33_20 , H01L33_22 , H01L33_32 , H01L33_64 ,

技术画像

所属领域

半导体发光器件半导体发光器件光电子器件外延生长技术

应用场景

通用照明, 显示背光源, 信号指示, 汽车照明, 景观照明

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摘要

本发明公开了一种发光二极管，所述发光二极管包括本征GaN层，所述本征GaN层具有孔隙，空气可在所述孔隙中自由流通。本发明通过在发光二极管的本征GaN层制造空气可自由流通的孔隙，利用空气的流动性将元件在工作时产生的热量自然而然带出元件，对比现有技术，本发明中的导热介质(即空气)与LED元件的发热部分直接接触，大大提升了散热效率，使元件内部热应力分布更均匀，延长了LED寿命，同时，量子阱结构内电子和空穴辐射复合效率会得到提高，即元件的发光效率上升，同时，本发明直接改进LED的外延层结构达到散热的目的，不需要后期在外部添加新的散热结构，降低了生产成本。本发明同时提供了一种具有上述有益效果的发光二极管的制作方法。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

贻贝仿生高分子粘附材料及其制备方法

当前第 / 件

LED芯片、垂直结构的LED外延片及其制备方法

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：57 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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