发明专利已授权

一种LED芯片、LED外延片及其制备方法

Name: 一种LED芯片、LED外延片及其制备方法
Brand: 广东工业大学
SKU: 2018115271254
Availability: InStock

📄 申请号：CN201811527125.4 📄 发布日：2026/02/22

著录项目信息

申请日

2018-12-13

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_02

IPC 分类号

H01L33_02 , H01L33_14 , H01L33_00 ,

技术画像

所属领域

半导体光电器件半导体光电器件外延生长技术半导体材料

应用场景

通用照明, 显示器件, 背光源, 汽车照明, 景观照明

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摘要

本发明公开了一种LED芯片、LED外延片及其制备方法，其中，LED外延片可以包括金属衬底、设置在金属衬底表面的GaN成核层、设置在GaN成核层表面的N型GaN层、设置在N型GaN层表面的多量子阱层、设置在多量子阱层表面的GaN阻挡层、设置在GaN阻挡层表面的P型GaN层。本申请公开的上述技术方案，直接利用金属衬底作为LED外延片的衬底，由于整个金属衬底都可以导电，因此，则可以对N型GaN层的电流实现扩展，以使电流均匀分布，从而可以提高内量子效率。另外，由于可以直接在金属衬底上设置电极，因此，则可以不再需要通过刻蚀来在N型GaN层上制备电极，从而可以增大LED外延片的有效发光区域。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号：

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

LED芯片、垂直结构的LED外延片及其制备方法

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：85 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 2657件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

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