发明专利已授权

一种深紫外LED外延芯片正装结构

📄 申请号：CN201811614645.9 📄 发布日：2026/06/23

著录项目信息

申请日

2018-12-27

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_12

IPC 分类号

H01L33_12 , H01L33_38 ,

技术画像

所属领域

深紫外LED 深紫外LED 半导体外延片 LED芯片结构

应用场景

杀菌消毒, 水处理, 空气净化, 光固化, 医疗设备

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摘要

本发明属于紫外LED技术领域，尤其涉及一种深紫外LED外延芯片正装结构。本发明提供了一种深紫外LED外延芯片正装结构，包括：n型电极、p型电极和外延芯片本体；所述n型电极和所述p型电极设置于所述外延芯片本体的同一侧；所述外延芯片本体包括依次设置的第一衬底、第一外延层和电极板；所述第一外延层包括依次叠加设置的缓冲层、AlN/AlGaN超晶格和n+型AlGaN层，所述缓冲层与所述第一衬底叠加设置；所述n型电极与所述第一衬底电连接，所述p型电极与所述电极板电连接；所述缓冲层为异质结构的BN层或AlN层。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20201023

✅ 授权

20190423

?? 实质审查的生效：

20190329

📄 公开

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