发明专利已授权

一种紫外发光二极管及其制作方法

📄 申请号：CN201811277372.3 📄 发布日：2026/06/23

著录项目信息

申请日

2018-10-30

公开号

CN109449267A

公开日

2019-03-08

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_32

IPC 分类号

H01L33_32 , H01L33_00 ,

技术画像

所属领域

紫外发光二极管光电子器件半导体器件发光二极管紫外发光二极管

应用场景

紫外固化, 消毒杀菌, 水处理, 医疗健康, 印刷与光刻

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摘要

本发明公开了一种紫外发光二极管，包括蓝宝石衬底与GaN缓冲层，所述紫外发光二极管包括GaN纳米线层与GaN纳米线融合层；所述GaN纳米线层设置在所述紫外发光二极管的蓝宝石衬底表面；所述GaN纳米线层包括GaN纳米线，所述GaN纳米线的两端分别连接所述GaN纳米线融合层和所述蓝宝石衬底，实现所述GaN纳米线融合层与所述蓝宝石衬底间的电连接；所述GaN纳米线融合层设置在所述GaN纳米线层与所述紫外发光二极管的GaN缓冲层之间。本发明通过将传统的GaN层替换成GaN纳米线层，减少了GaN材料与衬底的接触面积，同时也就减少了接触面间的缺陷和位错，提升了内量子效率，进而提高了元件效率。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的紫外发光二极管的制作方法。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN109449267A

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该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

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图1

图2

图3

法律状态时间线

一种紫外LED光源倒装结构

当前第 / 件

一种深紫外LED外延芯片正装结构

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