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24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201710171254.3 | 专利名称： | 一种提高紫外LED光输出功率的外延结构 |
| 申请日： | 2017-03-21 | 申请/专利权人 | 广东工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 广东省广州市越秀区东风东路729号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L33/14 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2024-05-14 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN106935690B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 3 | 所属领域： | 半导体器件制造 光电子工程专利转让搜索 |
应用场景：紫外线消毒设备; 光学传感系统; 医疗灭菌器械
摘 要：本发明公开了一种提高紫外LED光输出功率的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底，GaN缓冲层，未掺杂的GaN层，掺杂N型GaN层，AlGaN/GaN多量子阱结构，插入层，电子阻挡层EBL，P型GaN层，所述衬底采用蓝宝石衬底，所述GaN缓冲层厚度为20‑25nm，生长温度为530‑550℃，并在1050℃恒温6分钟使GaN缓冲层重结晶，所述未掺杂的GaN层厚度为2.0‑2.5μm，生长温度为1050℃，所述掺杂N型GaN层的厚度为2.5‑3.0μm，其中Si掺杂浓度为5x1018cm‑3，生长温度为1050℃，所述多量子阱AlGaN/GaN结构由多量子阱AlGaN层和多量子阱GaN层按6个周期的交替生长而成。本发明通过提高紫外LED芯片的晶体质量，优化电子阻挡层的电子阻挡效果，减少电子泄露，从而改善紫外LED器件的效率下降，提高光输出功率。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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