发明专利已授权

一种提高紫外LED光输出功率的外延结构

📄 申请号：CN201710171254.3 📄 发布日：2026/02/22

著录项目信息

申请日

2017-03-21

公开号

CN106935690B

公开日

2024-05-14

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_14

IPC 分类号

H01L33_14 , H01L33_32 ,

技术画像

所属领域

紫外LED 半导体光电器件 LED外延生长氮化镓材料紫外LED

应用场景

紫外杀菌消毒, 紫外固化, 医疗健康, 光催化净化, 紫外探测与传感

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摘要

本发明公开了一种提高紫外LED光输出功率的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底，GaN缓冲层，未掺杂的GaN层，掺杂N型GaN层，AlGaN/GaN多量子阱结构，插入层，电子阻挡层EBL，P型GaN层，所述衬底采用蓝宝石衬底，所述GaN缓冲层厚度为20‑25nm，生长温度为530‑550℃，并在1050℃恒温6分钟使GaN缓冲层重结晶，所述未掺杂的GaN层厚度为2.0‑2.5μm，生长温度为1050℃，所述掺杂N型GaN层的厚度为2.5‑3.0μm，其中Si掺杂浓度为5x1018cm‑3，生长温度为1050℃，所述多量子阱AlGaN/GaN结构由多量子阱AlGaN层和多量子阱GaN层按6个周期的交替生长而成。本发明通过提高紫外LED芯片的晶体质量，优化电子阻挡层的电子阻挡效果，减少电子泄露，从而改善紫外LED器件的效率下降，提高光输出功率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种实现短波长紫外LED的外延结构

当前第 / 件

一种功率型紫外LED器件

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