专利名称：一种光电子器件测试装置     申请号：2023235322626     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/10/17  

专利名称：一种金石墨烯和钯氧硫铟化铜检测胰岛素的电化学传感器的制备方法      申请号：2020108540978     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明涉及一种金石墨烯和钯氧硫铟化铜检测胰岛素的电化学传感器的制备方法，属于电化学传感器领域。本发明以金杂化石墨烯作为基底，以具有较大比表面积和导电性作为载体，以钯杂化的氧硫化铜作为二抗标记物，构建了信号增强型电化学传感器，实现了对胰岛素抗原的检测，测得传感器的线性检测范围为1.0 fg/mL～100 ng/mL，检测限为0.33 fg/mL。

专利名称：一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器及其制备方法      申请号：2019100632127     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明涉及一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器及其制备方法，属于忆阻器技术领域。所述忆阻器为MIM形式结构，其结构从下至上依次为：底电极、二硫化钼/硫化锌双层薄膜功能层、顶电极。本发明的这种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器具有MoS2/ZnS界面，其在施加偏压下，硫空位能够容易地从MoS2漂移到ZnS中，形成硫空位导电通道，使器件进入低阻态；当施加相反偏压时，硫空位重新漂移回到MoS2，导电通道断裂，使器件回到高阻态，同时，本发明采用的惰性电极阻止了硫空位进入顶电极，大幅度改善了忆阻器的重复性。

专利名称：一种带有可调型场板的高压二极管      申请号：201711036397X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明提出了一种带有可调型场板的高压二极管，包括阴极金属，阳极金属，场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区，在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板，相邻两个可调型场板之间间隔设定距离；每一个可调型场板均连接调节电容；通过调节可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸，能够调节可调型场板上的感应电位和感应电荷量，使得漂移区内获得均匀的表面电场分布。该结构器件可以改善器件漂移区表面电场分布，具有很高的耐压能力、很小的正向压降和很小的反向恢复时间。

专利名称：一种带有电荷可调型场板的横向绝缘栅双极型晶体管      申请号：2017110409935     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，P型衬底上设有N型漂移区和P型阱，P型阱上设有阴极接触区和第一场氧化层，N型漂移区上设有P型阳极接触区和第二场氧化层，第一场氧化层和第二场氧化层上方设有介质层，其特征在于，所述第一场氧化层表面设有多个感应电容电极板，所述第二场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，所述介质层表面设有多个上层电荷可调型场板，且每一个感应电容电极板和一个与之一一对应的电荷可调型场板或上层电荷可调型场板通过重掺杂的多晶硅或金属互连线相连接。该结构器件的漂移区电场分布均匀，耐压所需漂移区长度小，电流能力强，导通损耗和开关损耗小。

专利名称：带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管      申请号：2017110328514     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明提出了一种带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区，在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板，相邻两个可调型场板之间间隔设定距离；每一个可调型场板均连接调节电容；通过调节可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸，能够调节可调型场板上的感应电荷量和感应电位，使得漂移区内获得均匀的表面横向电场分布。该结构器件可以改善器件漂移区表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力和很小的导通电阻。

专利名称：基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法      申请号：2017102404022     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了一种基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片和N型掺杂硅晶片，所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物和位于顶层氮化物下部的硅衬底层，硅衬底层部分掏空，形成悬空部位，悬空部位上方的顶层氮化物和镍/金电极构成薄膜LED蓝光发光器件，N型掺杂硅晶片顶层设置有适用于蓝光波段的光电传感器件，所述N型掺杂硅晶片为本征硅晶片掺杂磷元素。本发明器件设备体积小，能够实现水下高性能高速双向可见光通信。

专利名称：一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器      申请号：2016109539914     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器，该存储器包含在半导体层上通过真空蒸镀工艺形成的源极、漏极，半导体层以下依次为隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层、栅电极和柔性塑料衬底，所述的电荷阻挡层采用的是高绝缘性交联聚合物，并且通过小分子掺杂工艺和溶液加工的方式在电荷阻挡层的上表面形成一个隔离层，同时实现浮栅层和隧穿层的功能。本发明还提出一种制备上述浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器的方法。本发明不仅能够在较低电压下表现出良好的晶体管性能，更能够在低电压下通过多元掺杂的方式实现较好的存储，并且在较小的弯曲半径和不同的弯曲方式下仍然可以保持原有的晶体管和存储器的性能，具有很好的机械柔韧性。

专利名称：基于新型互补开口谐振环结构的基片集成波导带通滤波器      申请号：2016101289323     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了基于新型互补开口谐振环结构的基片集成波导带通滤波器，包括介质基片、微带传输线、共面波导过渡结构、两排金属柱、位于介质基片上表面的金属层、位于介质基片下面的金属接地板、位于上表面金属层的至少一个新型互补开口谐振环结构。其中，新型互补开口谐振环结构用于产生通带，共面波导过渡用于提升通带性能。本发明采用新型互补开口谐振环结构，相比于传统谐振环结构，该基片集成波导带通滤波器的带宽得到提升，带外选择性能更优秀。

专利名称：一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器及其制备方法      申请号：201710166292X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、栅绝缘层和衬底，所述有机光敏半导体层和栅绝缘层之间设有混合聚合物自阻挡薄膜层；本发明通过简单的工艺手段改进器件的存储性能，使其存储容量、开关速度和耐受性得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。

专利名称：一种新型等离子体光子晶体全向反射器及实现方法      申请号：2017109480192     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了一种新型等离子体光子晶体全向反射器及实现方法，其结构包括介质层与等离子体层。其中，等离子体层包括激励用电极及其内部的惰性气体，且等离子体的产生被可编程逻辑阵列控制的激励源所激励，其激励电压的大小也可以通过可编程逻辑阵列进行控制；而介质层则包含了两种介电常数大小不同的介质，分别为石英和空气。用等离子体层、石英层和空气层来构成层叠结构，并以嵌套分形序列为规律迭代构成基于一维等离子体光子晶体的全向反射器。该款基于嵌套分形结构的一维等离子体光子晶体全向反射器有工作带宽大，易调谐、结构紧凑和易集成等特点。

专利名称：三角形基片集成波导谐振腔双腔双模带通滤波器      申请号：2018105450671     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明揭示了一种三角形基片集成波导谐振腔双腔双模带通滤波器，包括介质基板组件、上金属层、及下金属层；介质基板组件上设置有多组金属通孔；介质基板组件包括第一介质基板、第二介质基板，第一介质基板与第二介质基板共面且耦合连接，且第一介质板与第二介质板均为等腰三角形，金属通孔、第一介质基板、第二介质基板、上金属层与下金属层形成两个级联的等腰三角形基片集成波导谐振腔；上金属层上设置有微带线组件，微带线组件通过共面波导结构接入等腰三角形基片集成波导谐振腔。本发明采用将两个双模顶角为120°的三角形基片集成波导谐振腔使用级联技术完成双腔双模带通滤波器的设计，结构简单，进一步缩小了滤波器尺寸，可实现更宽的带宽。

专利名称：一种平板式晶闸管     申请号：2024205067242     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/10/15  

专利名称：一种光电子器件制造用滚压装置     申请号：2024204709745     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/10/15  

专利名称：一种具有多冲压腔的二极管冲压装置      申请号：202410712663X     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：发明   关键词：电子器件 半导体   相似专利 发布日：2024/10/11  
摘要： 本发明提供了一种具有多冲压腔的二极管冲压装置，涉及二极管冲压技术领域，包括：底部安装板；所述底部安装板采用矩形板结构的；底部安装板的顶部中间固定设置有矩形块结构的底座；底座的前侧固定设置有控制面板；控制面板的两侧均固定设置有一组第二滑轨；两组第二滑轨之间滑动设置有U形板结构的挡板；底座的顶部呈矩形阵列状固定设置有圆筒形结构的固定筒；固定筒的内侧固定设置有圆柱形结构的固定杆；固定杆的外侧滑动设置有圆板形结构的活塞板，避免对于进入冲压区域的物品或者工作人员的手部造成伤害，极大的提高了本装置在意外情况下的防护能力；解决了二极管冲压装置缺少有效的防护结构，在生产运行的过程中具有较大的安全隐患问题。

专利名称：一种基于石墨烯阵列的啁啾光栅      申请号：2020116104754     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/10/11  
摘要： 本发明提供了一种基于石墨烯阵列的啁啾光栅，属于光学技术领域。包括两个电介质层一，两个电介质层一之间夹有一非周期光栅，非周期光栅包括若干电介质层二，相邻电介质层二之间、电介质层一与电介质层二之间均夹有一单层石墨烯；由入射方向至出射方向，各电介质层二的厚度逐渐减小，相邻电介质层二之间的厚度差为固定常数。本发明具有光低通滤波功能等优点。

专利名称：一种电器用报警器     申请号：2023236681950     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/09/26  

专利名称：一种可控硅器件     申请号：2023233567296     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/09/23  

专利名称：适用于超高频条件下的高密度LTCC基片及其制备方法      申请号：2013104827061     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/09/20  
摘要： 本发明涉及一种适用于超高频条件下的高密度LTCC基片及其制备方法，LTCC基片是由玻璃陶瓷料、有机流延体系组成，其中玻璃陶瓷料由45～48wt%α-Al2O3、50～53wt%的镧铝硼玻璃、1～3wt%的陶瓷颜料组成；有机流延体系由8～10wt%的粘结剂、80～83wt%的溶剂、3～4wt%的分散剂、5～6wt%的增塑剂、0～1wt%的松香组成，制备过程是将有机流延体系加入玻璃陶瓷料中，制成固含量为50～70wt%的流延浆料，球磨，获得LTCC生料带，经裁剪、叠合、热压后，置于硅碳棒炉内，经排胶、烧结后，得到超高频低损耗低介电常数的材料LTCC基片，填补了我国在超高频低温共烧陶瓷材料技术领域的空白。

专利名称：一种电子器件的散热装置     申请号：2024202453965     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词：报警器   相似专利 发布日：2024/09/20