发明专利已授权

一种紫外LED芯片及其制备方法

📄 申请号：CN201710865325.X 📄 发布日：2025/10/23

著录项目信息

申请日

2017-09-22

公开号

CN107452861A

公开日

2017-12-08

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_62

IPC 分类号

H01L33_62 , H01L33_00 ,

技术画像

所属领域

半导体发光器件半导体发光器件紫外LED芯片芯片制备工艺

应用场景

杀菌消毒, 光固化, 水处理, 医疗健康, 防伪检测

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摘要

本申请公开了一种紫外LED芯片及其制备方法，其中，紫外LED芯片的第一衬底的第二表面设置紫外发光二极管，紫外发光二极管的外延结构的一端首先经过刻蚀处理后形成凹凸台面，基于所述凹凸台面继续向第一衬底一侧刻蚀形成凹槽，PN结结构中的N型电极通过设置于凹槽中的内部接触层与紫外发光二极管中的P型电极电连接，同时PN结结构中的P型电极通过外部电极结构与紫外发光二极管中的N型电极电连接，从而实现了PN结结构和紫外发光二极管的反向并联连接，进而为紫外发光二极管提供了一条静电释放的通道，使得紫外LED芯片免受反向电压或者静电放电危害的影响，同时还增大了紫外LED芯片的正向电压和抗静电打击强度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种LED驱动电路及LED电气指示灯

当前第 / 件

一种紫外LED倒装芯片

同领域国内专利 · IPC: (H01L33_62)

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