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| 专利/申请号： | CN201811527124.X | 专利名称： | LED芯片、垂直结构的LED外延片及其制备方法 |
| 申请日： | 2018-12-13 | 申请/专利权人 | 广东工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 广东省广州市越秀区东风东路729号大院 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L33/06 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 3 | 所属领域： | 半导体器件制造 光电子材料与器件专利转让搜索 |
应用场景：高亮度LED照明；垂直结构LED芯片的产业化生产；解决传统水平结构LED的光效低、散热差问题
摘 要：本发明公开了一种LED芯片、垂直结构的LED外延片及其制备方法，其中，制备方法包括：在清洗后的金属衬底表面生长GaN成核层，并在GaN成核层表面生长P型GaN层；在P型GaN层表面生长GaN阻挡层，并在GaN阻挡层表面生长多量子阱层；在多量子阱层上生长N型GaN层，以得到垂直结构的LED外延片。本申请公开的上述技术方案，直接在金属衬底上依次生长GaN成核层、P型GaN层、GaN阻挡层、多量子阱层、及N型GaN层，以得到垂直结构的LED外延片，这样就不需要对LED外延片的衬底进行剥离和键合，因此，则可以提高LED外延片的制备效率，并且可以提高最终所制备出的LED外延片的良品率和内量子效率。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2020/04/28 | 授权 | |
| 2019/04/16 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 33/06 专利申请号: 201811527124.X 申请日: 2018.12.13 |
| 2019/03/22 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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| 2017106004531 | 【发明】一种深紫外LED | 2025/10/23 |
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