发明专利已授权

LED芯片、垂直结构的LED外延片及其制备方法

📄 申请号：CN201811527124.X 📄 发布日：2025/10/23

著录项目信息

申请日

2018-12-13

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_06

IPC 分类号

H01L33_06 , H01L33_32 , H01L33_00 ,

技术画像

所属领域

LED芯片半导体器件外延生长光电子器件 LED芯片

应用场景

半导体照明, 显示技术, 光通信, 消费电子

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摘要

本发明公开了一种LED芯片、垂直结构的LED外延片及其制备方法，其中，制备方法包括：在清洗后的金属衬底表面生长GaN成核层，并在GaN成核层表面生长P型GaN层；在P型GaN层表面生长GaN阻挡层，并在GaN阻挡层表面生长多量子阱层；在多量子阱层上生长N型GaN层，以得到垂直结构的LED外延片。本申请公开的上述技术方案，直接在金属衬底上依次生长GaN成核层、P型GaN层、GaN阻挡层、多量子阱层、及N型GaN层，以得到垂直结构的LED外延片，这样就不需要对LED外延片的衬底进行剥离和键合，因此，则可以提高LED外延片的制备效率，并且可以提高最终所制备出的LED外延片的良品率和内量子效率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200428

✅ 授权

20190416

?? 实质审查的生效：

20190322

📄 公开

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：151 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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