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发明专利
已授权
一种紫外LED外延结构
📄 申请号:CN201710600473.9
📄 发布日:2026/06/23
著录项目信息
申请日
2017-07-21
申请人
广东工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L33_06
IPC 分类号
H01L33_06
,
H01L33_12
,
H01L33_14
,
H01L33_32
,
技术画像
所属领域
紫外LED
紫外LED
外延结构
半导体光电器件
应用场景
杀菌消毒, 水净化, 紫外光固化, 医疗设备, 工业固化
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摘要
本申请提供一种紫外LED外延结构,包括:衬底;依次生长在所述衬底上的未掺杂缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、超晶格结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层;其中,所述超晶格结构包括至少一层第一AlGaN层和至少一层第二AlGaN层,所述第一AlGaN层和所述第二交替叠加。由于在多量子阱与电子阻挡层之间增加设置超晶格结构,超晶格结构能够有效缓解有源区最后一个量子垒与电子阻挡层之间的应变,抑制电子泄漏,增大空穴注入率,从而提高紫外LED的光输出功率和内量子效率,使其呈现更佳的发光性能。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20190830
✅ 授权
20171117
?? 实质审查的生效 :
20171020
📄 公开
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📋 交易方式:
委托待转让
📌 交易状态:
在售
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📋 项目申报:
未申报
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