专利名称：一种等间距的芯片扩张及巨量转移方法      申请号：2021104270512     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/13  
摘要： 本发明涉及半导体加工的技术领域，更具体地，涉及一种等间距的芯片扩张及巨量转移方法，包括以下步骤：S10.选择承载膜，将芯片转移到临时键合胶层；S20.分别沿X方向、Y方向拉伸承载膜，直至X方向、Y方向芯片间距扩张至设定值；S30.激光照射临时键合胶层，芯片脱离临时键合胶层并转移至承载基板的焊盘上；S40.重复步骤S10～S30，依次完成多种类型芯片的巨量转移；步骤S20在进行拉伸扩张的过程中，对芯片间距进行实时同步检测；对芯片间距存在偏差的区域，局部修正芯片在阵列中的位置及间距误差，使得所有芯片间距达到所需间距。本发明在拉伸扩张过程中，对芯片间距存在偏差的区域进行修正，使得所有芯片间距达到所需间距，实现芯片的均匀扩张和巨量精准转移。

专利名称：一种高速开关二极管芯片及生产工艺      申请号：2018114077740     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/13  
摘要： 本发明公开了一种高速开关二极管芯片及生产工艺，所述芯片横截面为圆形，包括：衬底，所述衬底上表面生长有外延层；所述外延层上表面为第一氧化层，所述第一氧化层上光刻环形隔断槽，所述隔断槽内为扩散区，所述隔断槽外为截断环；所述第一氧化层上表面为第二氧化层，所述第二氧化层上光刻引线孔；所述光刻引线孔内延伸至第二氧化层上表面设有蒸铝层。本发明能够使高速开关二极管开关时间小于5ns，击穿电压大于100V，反向漏电流小于25nA。

专利名称：一种贴片半导体的半自动挂镀装置      申请号：2019215075206     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/12  
摘要： 本实用新型公开一种贴片半导体的半自动挂镀装置，包括电镀液体槽、设置于电镀液体槽上方的传送机构以及位于传送机构末端的收集卸料机构，传送系统上设有用于悬挂半导体的挂钩以及触发收集卸料机构的传感器，所述收集卸料机构包括收集箱、套在收集箱外的收集箱支架、设置在收集箱支架顶部的机械手组件，所述机械手组件包括弹簧电机、丝杆、套杆、支杆、夹料圆环和夹料口。工作时，传送系统用于传送半导体，传送到位后，机械手组件抓取半导体并将其送至收集箱内。本实用新型中全工序人员不接触化学试剂，解决人工将料片放入电镀槽内对人体造成的损伤的问题。

专利名称：一种印字错误半导体去字装置      申请号：2019217156960     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/12  
摘要： 本实用新型提供一种印字错误半导体去字装置，包括轨道底座，轨道底座上开有为印字错误半导体提供通过空间的轨道，轨道底座一端设有推动印字错误半导体沿轨道移动的推拉组件，轨道底座另一端设有去除错误印字的去字组件，所述推拉组件包括电机、旋转圆盘、推杆和顶头，旋转圆盘与电机的输出轴相连，推杆一端与旋转圆盘相连，另一端与顶头相连；去字组件包括磨头、去字电机、轴流风机和排风口，磨头与去字电机的输出轴相连，轴流风机位于磨头的上方，排风口位于轴流风机的两侧。本实用新型可以一次性去掉整排多颗半导体上的印字错误。

专利名称：一种碳化硅级半导体烧结后冷却装置      申请号：202021940774X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/12  
摘要： 本实用新型公开一种碳化硅级半导体烧结后冷却装置，包括制冷系统、冷风传输系统和传动系统，冷风传输系统包括铜管、铜管布置箱体和轴流风机，传动系统包括电机、主动传送轮、从动传动轮、传送皮带，传送皮带连接在主动传送轮和从动传送轮之间，主动传送轮与电机输出轴相连；铜管布置箱体位于传送皮带上方，轴流风机设置在铜管布置箱体朝向传送皮带的一面，铜管两端与制冷系统相连，铜管主体设置于铜管布置箱体内。本实用新型代替现有自然冷却风干方式，用于烧结后碳化硅二、三极管的快速冷却，提高产能，减少自然冷却的时间。

专利名称：一种碳化硅级三极管框架热表面处理试验装置      申请号：202021939481X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/12  
摘要： 本实用新型公开一种碳化硅级三极管框架热表面处理试验装置，包括马达、减速机组、传动链轮、悬挂伸拉杆、表面处理液承载盒、试验电源、锡板，减速机组与马达输出轴通过第一传送皮带相连，传动链轮与减速机组通过第二传送皮带相连；悬挂伸拉杆位于表面处理液承载盒上方，传动链轮的偏心位置通过轴承与悬挂伸拉杆的一端相连，悬挂伸拉杆的另一端连接有导向装置；悬挂伸拉杆上悬挂有多个挂钩，碳化硅级三极管框架悬挂在所述挂钩上；悬挂伸拉杆和挂钩为金属导体，试验电源的正极连接锡板，锡板置于表面处理液承载盒的处理液内。本实用新型能够为碳化硅级三极管框架热表面处理时提供相应的表面处理液体配比进行试验，为有特殊需求的应用提供解决方案。

专利名称：一种半导体管注塑废弃黑胶处理装置      申请号：2021204465041     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/12  
摘要： 本实用新型公开一种半导体管注塑废弃黑胶处理装置，包括下料斗、左传动挤压系统、右传动挤压系统、导料斗、热溶解系统、废料溶剂导管和废料溶剂承接盒，左传动挤压系统和右传动挤压系统相对设置于下料斗的出料口处，导料斗位于左传动挤压系统和右传动挤压系统下方，热溶解系统位于导料斗下方，废料溶剂导管与热溶解系统相连通，并且废料溶剂导管的出口朝向废料溶剂承接盒。本实用新型将半导体管生产中注塑后产生的废料黑胶进行处理，使废料黑胶有效的压缩至更小的空间，从而减少生产中占有工作面积，方便后续处理。

专利名称：半导体框架残留黑胶去除装置      申请号：2021207117952     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/12  
摘要： 本实用新型公开一种半导体框架残留黑胶去除装置，包括主体框架箱、排水系统、高压水雾输出系统和传动系统，排水系统包括漏网、漏板、一号废水导出板和二号废水导出板，一号废水导出板和二号废水导出板位于主体框架箱底部的两侧，布置成漏斗形；漏板位于一号废水导出板和二号废水导出板上方，漏网位于漏板上方并且将漏板覆盖；高压水雾输出系统包括喷头、输水管、高压水泵和滑动体，喷头位于漏网上方并且喷头通过输水管与高压水泵相连通，输水管设置于滑动体内，传动系统与滑动体相连，用于驱动滑动体在漏网上方滑动。本实用新型用于贴片二三极管成型后黑胶残留和毛刺去除，减轻后步工序设备的污染和磨损。

专利名称：一种半导体晶圆芯片不良品自动摘除装置      申请号：2022223864874     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/12  
摘要： 本实用新型涉及半导体晶圆芯片生产技术领域，特别涉及一种半导体晶圆芯片不良品自动摘除装置，主体框架的顶部右侧放置有识别仪表，主体框架的顶部前侧中心安装有晶圆固定圆盘，主体框架的顶部中心安装有吸嘴挑拣系统，主体框架的左侧前侧安装有不良品接料盒。本实用新型的有益效果是：本实用新型可在出货前将测试后的不良品芯片进行摘除，从而将出货良率达到100%，提高了出货成本及良率，也可省去人工摘除不良品芯片的时间及操作难度，减少生产成本。

专利名称：一种贴片半导体框架全封闭电镀装置      申请号：2022229871551     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/12  
摘要： 本实用新型涉及贴片半导体框架表面处理技术领域，特别涉及一种贴片半导体框架全封闭电镀装置，全封闭箱为矩形中空箱体，全封闭箱中被隔断分隔为5个槽体，从左往右依次为第一水槽、酸槽、主渡槽、稀酸槽和第二水槽，每个隔断上部分开有窗口，窗口中穿过传动链条，传动链条串联5个槽体；第一水槽的左侧设置有进料平台，第二水槽的右侧设置有出料平台，电镀电源的一个电极连接主渡槽中的辅动轮、另一个电极连接主渡槽中的锡板架。本实用新型的有益效果是：各个分工序串联封闭，改由内部传送的方式对贴片半导体框架进行内部传送电镀，从而减少部分有害化学试剂外漏及消耗，使电镀工作更具有安全性，避免不必要的损失。

专利名称：一种四边形晶片角顶点定位方法      申请号：2022115004194     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/12  
摘要： 本发明涉及图像检测技术领域，具体涉及一种四边形晶片角顶点定位方法。一种四边形晶片角顶点定位方法，包括以下步骤：顺序取原始图像角顶点；从原始图像角顶点出发，搜索四边形晶片角顶点的粗略坐标；搜索四边形晶片角顶点的粗略坐标之间的坐标集合；通过坐标集合来拟合四边形晶片各边的外边线的直线方程；通过直线方程组求解四边形晶片角顶点的精确坐标。解决了灰尘所造成的干扰令微型晶片的高精度尺寸测量面临困难的问题。

专利名称：一种用于半导体集成电路封装的测试装置      申请号：2022201558123     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/12  
摘要： 本实用新型公开了一种用于半导体集成电路封装的测试装置，包括底座，所述底座的顶部固定连接有密封箱，所述密封箱的顶部固定安装有液压缸，所述液压缸的输出端固定连接有测试装置本体，所述底座的右侧固定连接有固定台，所述固定台的顶部固定安装有驱动机一，所述驱动机一的输出端固定连接有转盘，所述转盘的表面固定连接有短杆，所述短杆的表面通过销轴转动连接有摆杆，本实用新型通过上述等结构的配合，实现了便于工作人员进行半导体集成电路的多角度测试，保障了半导体集成电路的放置精准程度，减少了半导体集成电路测试过程中偏移而不得知的情况，给工作人员的工作带来了便利。

专利名称：一种高稳定性单晶硅压差传感器      申请号：2020115589103     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/12  
摘要： 本发明涉及传感器领域，具体是一种高稳定性单晶硅压差传感器，包括传感器壳体，所述传感器壳体的内侧设有中隔板，中隔板上安装有单晶硅传感器芯片，单晶硅传感器芯片的左右侧空间分别为传感器正压腔和传感器负压腔，单晶硅传感器芯片的左右两侧还分别配合连接有第一过压保护膜和第二过压保护膜，第一测量腔的端口安装有第一隔离波纹片，第二测量腔的端口安装有第二隔离波纹片，传感器正压腔内还周向分布设有多个第一通油腔道，传感器负压腔内还周向分布设有多个第二通油腔道。本发明稳定性高，传感器的测量准确性和精度佳，能够适用于复杂的工况，值得推广。

专利名称：一种半导体芯片检测夹具     申请号：2024217713128     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/12  

专利名称：一种半导体芯片浸蚀装置      申请号：2024112629376     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/11  
摘要： 本发明公开了一种半导体芯片浸蚀装置，包括底座，所述底座上安装有浸蚀箱，所述浸蚀箱内盛装有浸蚀液，所述浸蚀箱内设有能够复位的过滤箱，所述过滤箱的底部贯穿设有排液槽，所述排液槽内安装有滤网，所述过滤箱内安装有能够拆卸的支撑板，所述支撑板上贯穿设有放置孔，所述支撑板的底部固定有支撑网，所述支撑网对放置孔进行封堵，在放置孔内放置半导体芯片能够被支撑网支撑，所述底座上安装有能够上下移动的移动箱。本发明电机持续性工作能够对浸蚀中的半导体芯片进行脉冲式冲刷以及对其表面脉冲式清理，半导体芯片浸蚀完成上移的过程中可以对悬浮物进行收集，同时可以对半导体芯片表面进行风干以及清理。

专利名称：一种CPU及插槽的防护工艺      申请号：2019102928614     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/10  
摘要： 本发明涉及一种CPU及插槽的防护工艺，尤其是一种对PGA封装（Pin Grid Array，插针网格阵列）台式电脑CPU及插槽进行防潮防护的工艺方法。一种CPU及插槽的防护工艺，所述防护工艺覆盖区域包括CPU盖壳、CPU本体、CPU插槽及主板，包括以下步骤：（1）CPU预涂敷；（2）CPU加热；（3）CPU封胶结构封口；（4）插槽预涂敷；（5）整体加热；（6）插槽封胶结构封口。本发明具有如下优点：1、将台式电脑CPU及其插槽的电子电路部分与外界完全气密隔绝，同时不影响CPU散热器的安装和正常工作。2、经测试，经本防护工艺处理后的CPU可在相对湿度达到100%且空气中有液态结露的水蒸气过饱和环境下正常工作。3、防护材料可被移除，移除防护过程和实施防护过程皆不损坏被防护元器件，不影响产品返修。

专利名称：一种半导体加工用检测设备     申请号：2024222296613     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/10  

专利名称：一种半导体芯片裁切设备     申请号：2024218984930     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/10  

专利名称：调控SiC纳米阵列密度的方法      申请号：2015104040125     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/09  
摘要： 本发明公开的调控SiC纳米阵列密度的方法，包括如下步骤，1)、前躯体准备；基体准备；2)、催化剂沉积：在准备好的基体表面沉积催化剂层；3)、将沉积有催化剂层的基体以及前躯体共同于烧结氛围中烧结，前躯体热解在基体表面形成SiC纳米阵列。本发明公开的制备方法工艺简单，生产方便，便于扩大规模，安全性好，产品质量稳定性好，产品性能稳定。

专利名称：一种半导体芯片加工用贴装装置      申请号：2024111622897     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/06/06  
摘要： 本发明涉及芯片加工加工技术领域，具体而言，涉及一种半导体芯片加工用贴装装置，包括：移动式下底座，并排设置在所述移动式下底座上的搬运打胶模块和贴装工作台，设置在所述贴装工作台上的定位机构，放置在所述贴装工作台上并处在所述定位机构内的基板，设置在所述贴装工作台上的移动模块，安装在所述移动模块上的下垂面板，并排设置在所述下垂面板正面上的均压组件和除胶部，以及处在所述基板上的芯片，能够在基板上将芯片以合适的压力精准地向下压，并且可以自芯片的中部同时向两侧对芯片进行擀压，从而使芯片均匀受力被下压，同时促使作为胶水的环氧树脂在芯片和基板之间均匀受力，进而确保贴装完成后基板与芯片之间的粘合层厚度的均匀。