专利名称：一种双灯芯LED灯生产用的点焊机     申请号：2023234951705     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/22  

专利名称：一种芯片车间防火防泄漏的报警器     申请号：2024205777260     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/21  

专利名称：一种节能型可拆卸的PTC半导体加热器      申请号：202322384174X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/17  
摘要： 本实用新型公开了一种节能型可拆卸的PTC半导体加热器，包括：铜管与PTC半导体发热片；还包括上夹板、下夹板、螺杆、螺帽以及加热座；本实用新型将铜管设置成U形螺旋状，加热座设置在铜管的螺旋间隙之间，PTC半导体发热片设置在加热座中间，可以对加热座的上下部加热，加热座的上半圆形槽贴合上铜管的下部，加热座的下半圆形槽贴合下铜管的上部，上下两个加热座可以将铜管的长边包裹住，可以将热量充分传导至铜管中的液体里，从而提高换热效率，节省能耗。

专利名称：一种具有图形化结构的半导体激光器热沉      申请号：2020202093887     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 一种具有图形化结构的半导体激光器热沉及其制造方法，通过在基体上下表面预先制备了立体图形结构阵列，大幅增加了基体材料的表面积和表面化学键能，提高了与基体材料接触的功能层、过渡金属层I及过渡金属层II的粘附性的粘附性，通过在立体图形结构阵列上制造功能层，有效的结合基体材料和功能层材料热导率或热膨胀系数各自特点，调节符合材料整体的热导率或热膨胀系数，保证与半导体激光器材料本身热失配小的前提下降低热沉材料的热阻，提高散热性能，保证了激光器光电性能和可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

专利名称：一种氮化镓功率器件及其制备方法      申请号：2021105456275     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了一种氮化镓功率器件及其制备方法，包括：半导体衬底，设置在半导体衬底上方的缓冲介质层，缓冲介质层上方设有漂移区氮化镓层；所述漂移区氮化镓层的全部区域或设定部分区域内的厚度沿器件耐压状态下低电位电极到高电位电极的方向逐渐增加，从而使衬底产生的场板效果符合电场优化需求。本发明结构中漂移区氮化镓层厚度在水平方向上沿电位升高的方向不断增大，从而增大低电位处的场板作用，降低高电位处的场板作用，从而使器件获得更好的电场调制效果，增加器件的耐压能力。

专利名称：掺杂浓度渐变的圆形漂移区半导体器件及其制备方法      申请号：2021105470130     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了一种掺杂浓度渐变的圆形漂移区半导体器件及其制备方法，包括：半导体衬底，以及位于半导体衬底表面的漂移区；所述漂移区与半导体衬底之间的边界为圆弧；在所述漂移区全部区域或者设定的部分区域内，其各位置的掺杂浓度处于到之间，其中，Ec为漂移区材料的临界击穿电场强度，ε0为真空介电常数，εr为漂移区材料的相对介电常数，q为单位电荷量，R为相应位置到所述圆弧所在圆心的距离。本发明通过将器件的掺杂浓度渐变，会使器件的电场集中效应对电场的影响与漂移区空间电荷区对电场的影响相互抵消，从而使器件获得极佳的耐压能力。

专利名称：半导体材料、场效应晶体管器件、双极性半导体及应用      申请号：2021105355946     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明属于双极性半导体技术领域，公开了半导体材料、场效应晶体管器件、双极性半导体及应用，本发明的半导体材料为具有近距离的强π‑π作用的交叉偶极式分子堆积方式形成的晶体材料；晶体材料由经化学修饰后具有给、受体结构的D‑A‑D型分子AzoO2‑PDI有序排列而成。本发明通过巧妙的分子设计和化学修饰得到D‑A‑D型飞鱼状分子AzoO2‑PDI，分别利用了作为侧基修饰基团的两偶氮酚氧基的弱给电子效应及位阻效应，从分子和晶体材料两个层次，达到了降低能隙、微调前线轨道分布促进电子和空穴的注入，以及形成具有强的π‑π作用的交叉偶极式分子堆积加强PDI核间的波函数重叠和电子耦合，促进电子和空穴的有效传输的双重目的。

专利名称：一种介质层辅助的厚片周期极化铁电晶体制备方法      申请号：2020107846971     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了一种基于介质层辅助的厚片周期极化铁电晶体制备方法，其中提出在周期极化铁电晶体材料的抛光表面首先制备介质层。该介质层是各向同性的透明材料，然后对该透明介质层进行抛光。由于介质层的存在，可以得到特别平整的表面，有利于形成高质量的键合晶体。介质层的厚度相对晶体厚度来说几乎可以忽略不计，不会对晶体的性能尤其是非线性光学性能造成影响。

专利名称：一种Cu掺杂Sn3O4的气敏材料及其甲醛气体传感器和制备方法、应用      申请号：2019106465166     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种Cu掺杂Sn3O4的气敏材料及其甲醛气体传感器和制备方法、应用。所述气敏材料包括：Sn3O4纳米片和铜离子，所述Sn3O4纳米片堆叠后形成三维的花状结构，所述铜离子存在于Sn3O4晶格之中取代Sn3O4晶格中的部分锡离子以及Sn3O4纳米片上和Sn3O4晶格间隙中。本发明以Cu掺杂的具有花状结构的Sn3O4为甲醛气体传感器敏感材料，制备的气体传感器在较低的工作温度下，具有大响应值，良好的甲醛气体选择性和快响应和恢复速度，并且能够有效降低实验操作复杂度，节约实验成本。

专利名称：一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构      申请号：201711034819X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构，包括：N型半导体衬底，N型半导体衬底上设有P型漂移区和N型阱，在N型阱上设有P型源区、N型接触区和栅氧化层，在P型漂移区上设有P型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在N型接触区和P型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。

专利名称：带有电位浮动型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管      申请号：2017110327992     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型半导体衬底，P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱，在P型阱上设有N型源区、P型接触区和栅氧化层，在N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在P型接触区和N型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。

专利名称：一种基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器及其制备方法      申请号：2016108679039     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了一种基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器，所述基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器的结构从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、量子点薄膜层、栅绝缘层、栅电极和衬底；能够在不增加工艺复杂度并且在简单的设备制备的前提下，有效的提高器件对入射光的收集效率，增强光电转换效率，降低接触电阻和电荷隧穿势垒，从而降低对操作电压的依赖，减少能源损耗，为有机光敏存储器的商业化推广提供一种可行的思路，所述存储器结构同时改进光敏存储器的存储性能和光敏性能；所述存储器结构可采用金属铜作为器件源漏电极，降低了器件制备成本，便于推广、应用。

专利名称：一种二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料及其制备方法与应用      申请号：2018106258138     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了一种二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料及其制备方法与应用，该材料是以二吲哚并三并咔唑作为核、富电子单元作为修饰基团的多臂结构化合物，其通式结构如下式1所示：其中，R为C1‑C30的直链或支链烷基的一种；Ar为富电子单元修饰基团。本发明的材料具有优异的热稳定性、较高的空穴迁移率、良好的溶解性以及非晶态特性，可以通过溶液法制备高质量的非晶薄膜；并且合成路线简短，产物易于分离，纯度高、产率高，在电致发光器件、有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池或有机场效应晶体管等领域具有潜在的商业应用价值。

专利名称：一种氟代茚并融噻吩空穴传输材料及其制备方法和应用      申请号：2023116554942     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 发明属于有机合成技术领域，公开了一种氟代茚并融噻吩空穴传输材料及其制备方法和应用。该空穴传输材料以氟代茚并融噻吩为外围端基，环氧噻吩为中心核。该空穴传输材料表现出优异的电导率和空穴迁移率、高质量的薄膜形态、良好的界面钝化作用以及出色的光热稳定性能。本发明的一种氟代茚并融噻吩空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中，其器件开路电压(Voc)为1.124 V，短路光电流密度(Jsc)为24.04 mA cm‑2，填充因子(FF)为0.7927，最终获得了高达21.42%的光电转化效率，同时表现出优异的器件长期稳定性，具有广阔应用价值。

专利名称：一种GaN基纳米多孔结构Micro-LED器件      申请号：2023103805482     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/15  
摘要： 本发明涉及GaN基光电器件领域，具体公开了一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，包括n‑GaN层、量子阱InGaN层、p‑GaN层、Si衬底、纳米多孔GaN和偶极子源；所述p‑GaN层、量子阱InGaN层、n‑GaN层和纳米多孔GaN由下到上依次设置在Si衬底上；所述偶极子源设置在量子阱InGaN层内；所述纳米多孔GaN含有周期性纳米多孔结构阵列。本发明的器件工作在TE模的偶极子源下，由于GaN纳米多孔结构阵列，可打破界面全反射，促进光子从逃逸锥中辐射出来，更易激发载流子的自发辐射效应，达到提高Purcell因子和光提取效率的目的。

专利名称：一种半导体集成电路封装结构     申请号：2023233837149     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词：半导体 集成电路   相似专利 发布日：2024/10/14  

专利名称：一种用于引脚半导体器件封装装置      申请号：2023113267895     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/14  
摘要： 本发明公开了一种用于引脚半导体器件封装装置，涉及半导体封装技术领域，包括上料箱，上料箱的顶端开设有上料腔，上料腔的腔口处升降滑动安装有下基板，下基板的顶端中心可拆卸安装有下模座，上料箱的上方设置有上顶板，模具中会预先填充环氧树脂模塑料粉末，基板放入模具中后，随后施加热量和压力，模具中填充的环氧树脂模塑料粉末会液化并最终成型，在这种情况下，环氧树脂模塑料会即刻熔化为液体，无需流动便可填充间隙，可以根据不同芯片半导体器件规格，更换相适配的上下模座，且无需做任何调整，依旧能够对不同规格的下模座内的芯片进行环氧树脂模塑料粉末的有效喷射覆盖，完全适配装置主体，因此具有使用范围广泛的特点。

专利名称：一种芯片缺陷识别方法及系统      申请号：2023112803081     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/12  
摘要： 本发明涉及机器视觉领域，揭露一种芯片缺陷识别方法及系统，所述方法包括：采集待识别芯片的芯片图像，对芯片图像进行去噪处理，得到去噪图像，提取去噪图像的特征标志，计算特征标志的角度特征、距离特征及局部二值特征，并融合角度特征、距离特征及局部二值特征的直方图归一化向量，得到标志融合向量，对标志融合向量与预构建芯片模板图像的模板融合向量进行特征标志匹配，构建芯片图像与预构建芯片模板图像之间的仿射变换矩阵；计算去噪图像的仿射图像与预构建芯片模板图像的差分二值图像；对差分二值图像进行连通区域检测，得到缺陷连通区域，识别缺陷连通区域的芯片缺陷类别。本发明可以提高芯片缺陷识别效率。

专利名称：半导体封装维修铲刀      申请号：2023222887267     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/10  
摘要： 本实用新型公开了一种半导体封装维修铲刀，包括刀头和刀柄，刀头具有刀口，刀口具有倒角，刀口一面是矩形，另一面是弧面，且弧面越靠近刀柄部位，刀头的厚度逐步增大，刀柄的外侧加保护套，刀柄与保护套通过粘胶固定。将刀头贴合在基板表面推进以进行清洁，可以避免划伤基板表面。可以清除大部分的积胶实体，作业省力且不易损伤线路板路，铲除之后再用抹布或气枪进行常规的表面擦除，即可完全将积胶清除干净。

专利名称：一种COF模组制程装置      申请号：2020225253185     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体   相似专利 发布日：2024/10/10  
摘要： 本实用新型公开了一种COF模组制程装置，包括基板和上盖板，基板与工作台面接触的底端面上设置有沉孔且沉孔内设置有高温磁铁，高温磁铁能将基板和上盖板稳定吸在一起，基板顶端面上设置有下沉槽和下沉镂空窗，待封装软性线路板上的加强板能装入下沉槽，待封装软性线路板上的背面元器件嵌入下沉镂空窗，上盖板上设置有让位镂空窗，待封装软性线路板上的正面元器件嵌入让位镂空窗，待封装软性线路板位于基板和上盖板之间，本实用新型的目的在于提供一种COF模组制程装置，软性线路板在封装过程中不易变形、不易振动。