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24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201710600453.1 | 专利名称： | 一种深紫外LED |
| 申请日： | 2017-07-21 | 申请/专利权人 | 广东工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 广东省广州市越秀区东风东路729号大院 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L33/06 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2023-11-14 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN107180899B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 3 | 所属领域： | 半导体照明技术 光电子学 紫外线应用技术专利转让搜索 |
应用场景：水/空气净化消毒;生物医疗灭菌;光学检测设备光源
摘 要：本申请提供一种深紫外LED，包括：衬底；位于所述衬底表面的未掺杂的缓冲层；位于所述未掺杂的缓冲层背离所述衬底表面的N型AlGaN层；位于所述N型AlGaN层背离所述衬底表面的多量子阱结构；位于所述多量子阱结构背离所述衬底表面的V型Al组分渐变的P型AlGaN结构，所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构采用极化掺杂，且其中所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构中的Al组分与所述多量子阱结构的Al组分不同；位于所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构背离所述衬底表面的P型GaN层。由于V型Al组分渐变的P型AlGaN结构能够获得更高浓度的空穴，从而提高紫外LED的内量子效率和发射功率。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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