发明专利 已授权

一种双极结型晶体管及其制备方法

📄 申请号:CN202111113203.8 📄 发布日:2026/05/07

著录项目信息

申请日
2021-09-23
公开号
CN113851526B
公开日
2023-11-07
申请人
燕山大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

集成电路, 功率电子, 高频通信, 模拟电路, 电子设备

摘要

本申请属于半导体集成电路技术领域,特别是涉及一种双极结型晶体管及其制备方法。现有双极结型晶体管增益小特征频率小,并要求小尺寸化。本申请提供了一种双极结型晶体管,在第一方向上,包括依次设置的n型Si衬底、p+发射区、SiO2浅沟道隔离结构、SiO2层、鳍型半导体n型基区、SiC应变外延层和P型集电区,第一方向为由衬底指向P型集电区的方向;鳍型半导体n型基区上设置有P型集电区;SiO2层上设置有发射极接触,SiC应变外延层上设置有基极接触,P型集电区上设置有集电极接触;SiC应变外延层对鳍型半导体n型基区和P型集电区同时施加单轴压应力,空穴迁移率增加,减小基区与集电区渡越时间,增加器件的特征频率。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

议价
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:88 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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