发明专利已授权

一种具有致密性和耐刻蚀性Y2O3薄膜的制备方法及其应用

📄 申请号：CN202410997168.8 📄 发布日：2025/11/16

著录项目信息

申请日

2024-07-24

公开号

CN118516652B

公开日

2024-11-26

申请人

武汉麦韦光学科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C14_35

IPC 分类号

C23C14_35 , C23C14_08 , C23C14_58 , H01J37_32 , H01L21_67 ,

技术画像

所属领域

稀土氧化物薄膜稀土氧化物薄膜薄膜制备工艺功能薄膜

应用场景

半导体集成电路制造, 等离子体刻蚀设备保护层, 光学器件涂层, 电子器件防护层

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摘要

本发明提供一种具有致密性和耐刻蚀性Y2O3薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、将衬底清洗，吹干，置于UV光清洗机中进行活化处理；S2、将步骤S1中衬底置于磁控溅射镀膜机内，边抽真空边加热，达到本底真空后通入氩气，对Y2O3靶材进行预溅射，预溅射完成后打开挡板，调节腔体气压，正式溅射开始，溅射完毕后取出衬底；S3、将步骤S2中衬底在800~1000℃条件下进行真空退火，退火过程中持续通入O2，退火完成后在真空环境下自然降温，即完成Y2O3薄膜的制备。本发明制备的Y2O3薄膜具有致密性和耐刻蚀性，可以应用于刻蚀设备，提高设备使用寿命的同时还可提升设备性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

铁掺杂金刚石稀磁半导体及其制备方法

当前第 / 件

一种适用于刻蚀机零部件的Y2O3-BZO复合涂层的制备方法

同领域国内专利 · IPC: (C23C14_35)

C23C14_00 C23C14_02 C23C14_04 C23C14_06 C23C14_08 C23C14_14 C23C14_16 C23C14_18 C23C14_20 C23C14_22 C23C14_24 C23C14_26 C23C14_28 C23C14_30 C23C14_32 C23C14_34 C23C14_35 C23C14_46 C23C14_48 C23C14_50 C23C14_52 C23C14_54 C23C14_56 C23C14_58 覆盖24个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：171 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

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