专利交易市场

一种基于球阀的遮盖式表面梯度薄膜制备装置，包括真空腔室以及设置在真空腔室内的基质和蒸发源结构，所述蒸发源结构位于所述基质的上方且通过固定机构悬置在真空腔室内；所述蒸发源结构包括坩埚蒸发装置、源材、球阀通量控制机构、元素扩散矫正通道和正电位电极，所述源材设置在所述坩埚蒸发装置内，所述坩埚蒸发装置的开口朝向基质的中心方向布置，所述球阀通量控制机构包括步进电机、球阀外壳、设置在球阀外壳内的中空挡环和用于中空挡环转动的挡环转轴。本发明提供了一种基于球阀的遮盖式表面梯度薄膜制备装置，对元素成分比例构成完全控制，能加快整个高通量实验的速度，节省人力物力，能够快速制备出组分连续渐变的多元梯度薄膜。

本发明涉及超晶格磁光材料技术领域，尤其涉及一种超晶格材料及其制备方法和应用。根据实施例的记载，本发明提供的超晶格材料同时具有亚铁石榴石材料较好的磁性能和石墨烯等二维半导体材料良好的光电吸收特性，测试得到的磁光克尔效应数据表明，本发明所述的超晶格材料在2500Oe磁场下的饱和磁光克尔角为13mdeg，相比较未插入二维材料的非超晶格亚铁磁性薄膜材料，其磁光克尔角提高了2.5倍，实现了磁光效应的增强。

本发明公开了一种单晶太阳能电池薄膜材料及其制备方法，涉及新能源材料以及光电应用领域，方法包括如下步骤：S1、以BaS粉末和ZrS2粉末为反应材料进行高温煅烧并压片得到BaZrS3靶材；S2、将步骤S1中合成得到的BaZrS3靶材和清洗好的YSZ衬底放入脉冲激光沉积系统；S3、对YSZ衬底进行真空室温沉积镀膜得到BaZrS3非晶薄膜；S4、对步骤S3获得的产物进行真空高温热处理，得到BaZrS3单晶太阳能电池薄膜材料。本发明探索的制备条件工艺，首次制备了BaZrS3单晶薄膜，为探索该材料光学性质提供了优良的薄膜样品，该材料具有优良的光学吸收，在太阳能电池领域具有较大的应用前景。

本发明属于铁酸铋薄膜技术领域，公开了一种带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜材料的制备方法，带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜材料的制备方法包括：利用镍酸镧作为底电极材料，在四方相铁酸铋和铝酸镧之间引入底电极，制备复合膜。本发明通过引入较薄的镍酸镧层作为底电极，为超四方相铁酸铋的应用提供更多空间，而且不含环境污染型材料，贵金属，适于大规模使用。本发明以铝酸镧，采用镍酸镧作为底电极材料，实现了带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜的制备，制备过程简单，材料不太昂贵，效果较好。本发明采用镍酸镧作为铁电薄膜的底电极可以极大程度增强铁电薄膜器件的抗疲劳特性。

本发明公开了一种中心型极化拓扑畴的构建方法，包括如下步骤：S1：脉冲激光沉积法制备BiFeO3薄膜样品，S2、以AAO为模板，氩离子束穿过AAO模板孔洞对薄膜进行刻蚀，获得高密度锥形“火山状”的纳米点阵列，并进行物相表征；S3、采用PFM表征对纳米点阵列获得自发的极化拓扑畴，通过PFM针尖电场写入将极化方向翻转，并对结果进行矢量PFM表征；S4、重组极化矢量获得三种不同类型的中心型极化拓扑畴。本发明构建了三种不同类型且更小的拓扑畴从而获得更高的存储密度，这种高密度、稳定、可调控的极化拓扑畴阵列可用于铁电随机存取存储器件。

本发明公开一种高电阻率基底上多孔氧化铝模板的制备方法，主要采用两步阳极氧化法。该方法包括如下步骤：(1)高电阻率硅基片的清洗；(2)钛膜的制备；(3)铝膜的制备；(4)铝膜的退火；(5)对Al/Ti/Si薄膜的封装及电化学抛光；(6)一次阳极氧化；(7)氧化层的去除以及第二次阳极氧化；(8)通孔、扩孔处理。本发明采用特殊的封装技术在高电阻率基底上制备出较高的有序度，厚度、孔径可调的多孔氧化铝模板，该方法操作简单、成本低、能够实现高电阻率甚至非导电基底AAO的制备，为模板辅助制备纳米材料扩展了应用范围。