发明专利已授权

铁掺杂金刚石稀磁半导体及其制备方法

📄 申请号：CN201810786224.8 📄 发布日：2025/11/16

著录项目信息

申请日

2018-07-17

公开号

CN108914086A

公开日

2018-11-30

申请人

武汉工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_27

IPC 分类号

C23C16_27 , C23C16_511 , C23C16_513 , C23C16_517 , H01L43_10 ,

技术画像

所属领域

稀磁半导体稀磁半导体金刚石材料半导体材料

应用场景

自旋电子学, 量子计算, 磁传感器, 半导体器件, 高功率电子器件

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摘要

本发明涉及一种铁掺杂金刚石稀磁半导体及其制备方法，它以乙酰丙酮铁作为铁源，无水乙醇作为碳源，通过无水乙醇将乙酰丙酮铁引入微波等离子体化学气相沉积装置中，在基底上生长铁掺杂金刚石，实现将铁元素引入稀磁金刚石中。本发明首次以乙酰丙酮铁作为铁源，通过挥发的无水乙醇将其引入，采用微波等离子体化学气相沉积法制备稀磁金刚石半导体，并成功生长出在室温下具有铁磁效应的金刚石。并且发现，随着铁源用量的增加，金刚石的磁性强度呈现一种上升的现象。针对其的研究有利于最大程度地探究铁掺杂金刚石的稀磁半导体特性，同时也有利于探索金刚石磁性掺杂的更多可能性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种高灵敏性的光学温度传感材料及其制备方法和应用

当前第 / 件

一种具有致密性和耐刻蚀性Y2O3薄膜的制备方法及其应用

同领域国内专利 · IPC: (C23C16_27)

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