发明专利已授权

平板倒装焊GaN基LED芯片结构

Name: 平板倒装焊GaN基LED芯片结构
Brand: 常熟市知识产权运营中心有限公司
SKU: 2010105220762
Availability: InStock

📄 申请号：CN201010522076.2 📄 发布日：2026/08/03

著录项目信息

申请日

2010-10-28

公开号

CN102034925B

公开日

2013-04-03

申请人

常熟市知识产权运营中心有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_62

IPC 分类号

H01L33_62 , H01L33_44 , H01L33_64 ,

技术画像

所属领域

光电子器件光电子器件 GaN基半导体材料倒装焊结构

应用场景

半导体照明, LED显示屏, 背光显示, 汽车照明, 通用照明

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摘要

本发明提出了一种平板倒装焊GaN基LED芯片结构，包括衬底，在衬底的下方自上至下依次设有N型GaN层、量子阱QW有源区、P型GaN层、电流扩展层和光反射层；光反射层上刻蚀有至N型GaN层的台阶面，在该台阶面的N型GaN层上制作有N电极，在光反射层上制作有P电极，N电极与P电极的外端处于同一水平面；在P电极焊盘和N电极焊盘所在面的除P电极焊盘和N电极焊盘以外的其它区域上镀有一层透明绝缘介质膜，P电极焊点外端制作有P焊板，N电极焊点外端制作有N焊板，P焊板和N焊板共晶或合金焊接到导热Si或者SiC衬底的P电极区和N电极区上。本发明在PN焊盘外区域涂绝缘介质膜，防止了PN连通短路，将有限N区电极导热平板搭至P区台面上。

常见问题

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是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN102034925B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210302

⏳ 专利权人的姓名或者名称、地址的变更：

20201204

?? 专利权的转移：

20151230

?? 专利权的转移：

20130403

✅ 授权：

20110615

?? 实质审查的生效：

20110427

⏳ 公布：

一种实现业务数据分流的方法、终端及系统

当前第 / 件

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