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摘 要:本发明提出了一种平板倒装焊GaN基LED芯片结构,包括衬底,在衬底的下方自上至下依次设有N型GaN层、量子阱QW有源区、P型GaN层、电流扩展层和光反射层;光反射层上刻蚀有至N型GaN层的台阶面,在该台阶面的N型GaN层上制作有N电极,在光反射层上制作有P电极,N电极与P电极的外端处于同一水平面;在P电极焊盘和N电极焊盘所在面的除P电极焊盘和N电极焊盘以外的其它区域上镀有一层透明绝缘介质膜,P电极焊点外端制作有P焊板,N电极焊点外端制作有N焊板,P焊板和N焊板共晶或合金焊接到导热Si或者SiC衬底的P电极区和N电极区上。本发明在PN焊盘外区域涂绝缘介质膜,防止了PN连通短路,将有限N区电极导热平板搭至P区台面上。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201010522076.2 | 专利名称: | 平板倒装焊GaN基LED芯片结构 |
申请日: | 2010-10-28 | 申请/专利权人 | 山东华光光电子有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市高新区天辰大街1835号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/62搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2013-04-03 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN102034925B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |