平板倒装焊GaN基LED芯片结构

著 录 项 目：

摘     要：本发明提出了一种平板倒装焊GaN基LED芯片结构，包括衬底，在衬底的下方自上至下依次设有N型GaN层、量子阱QW有源区、P型GaN层、电流扩展层和光反射层；光反射层上刻蚀有至N型GaN层的台阶面，在该台阶面的N型GaN层上制作有N电极，在光反射层上制作有P电极，N电极与P电极的外端处于同一水平面；在P电极焊盘和N电极焊盘所在面的除P电极焊盘和N电极焊盘以外的其它区域上镀有一层透明绝缘介质膜，P电极焊点外端制作有P焊板，N电极焊点外端制作有N焊板，P焊板和N焊板共晶或合金焊接到导热Si或者SiC衬底的P电极区和N电极区上。本发明在PN焊盘外区域涂绝缘介质膜，防止了PN连通短路，将有限N区电极导热平板搭至P区台面上。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2021/03/02	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人由常熟市知识产权运营中心有限公司变更为常熟市知识产权运营中心有限公司 地址由215500 江苏省苏州市常熟市草荡路13号变更为215500 江苏省苏州市常熟市常福街道联丰路68号4号楼5楼
  2020/12/04	专利权的转移	登记生效日: 2020.11.20 专利权人由山东浪潮华光光电子股份有限公司变更为常熟市知识产权运营中心有限公司 地址由261061 山东省潍坊市高新区金马路9号变更为215500 江苏省苏州市常熟市草荡路13号
  2015/12/30	专利权的转移	登记生效日: 2015.12.11 专利权人由山东华光光电子有限公司变更为山东浪潮华光光电子股份有限公司 地址由250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号变更为261061 山东省潍坊市高新区金马路9号
  2013/04/03	授权	授权
  2011/06/15	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 33/62 专利申请号: 201010522076.2 申请日: 2010.10.28
  2011/04/27	公布	公布

• 申请号	专利名称	发布日期
  2017108732730	【发明】一种紫外LED倒装芯片	2025/10/23
  201710865325X	【发明】一种紫外LED芯片及其制备方法	2025/10/23
  2017106004739	【发明】一种紫外LED外延结构	2025/10/23
  2017106004531	【发明】一种深紫外LED	2025/10/23
  201710359384X	【发明】一种紫外LED倒装芯片	2025/10/23
  2017103436463	【发明】一种功率型紫外LED器件	2025/10/23
  2017101712543	【发明】一种提高紫外LED光输出功率的外延结构	2025/10/23
  2017101705408	【发明】一种实现短波长紫外LED的外延结构	2025/10/23
  2017101027931	【发明】一种大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构	2025/10/23
  2018115271254	【发明】一种LED芯片、LED外延片及其制备方法	2025/10/23