实用新型已授权

一种基于SI基GAN的Micro LED的外延

Name: 一种基于SI基GAN的Micro LED的外延
Brand: 广州市众拓光电科技有限公司
SKU: 2022213095349
Availability: InStock

📄 申请号：CN202221309534.9 📄 发布日：2026/06/23

著录项目信息

申请日

2022-05-26

公开号

CN217933824U

公开日

2022-11-29

申请人

广州市众拓光电科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L33_12

IPC 分类号

H01L33_12 , H01L33_06 , H01L33_32 ,

技术画像

所属领域

半导体外延技术半导体外延技术氮化镓材料 Micro LED显示技术

应用场景

微显示, 高端显示, 光电子器件, 半导体照明

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摘要

本实用新型公开了一种基于Si基GAN的Micro LED的外延结构，所述Micro LED的外延结构的Si基外延从下到上依次包括：Si衬底、单晶ALN缓冲层、ALGaN应力调节层、低掺杂Si浓度的NGaN层、n型AlGan层、高掺杂Si浓度NGan层、MQW层、电子阻挡层、PGan层和接触层；其中，MQW层为至少一个GaN/AlGaN/InGaN层。该结构利于硅基衬底湿法剥离，制备垂直结构Micro LED芯片，节省后制程成本，提高良率。该结构具体限定了ALN层为单晶缓冲ALN层，其有效改善了Micro‑LED的晶体质量和外观缺陷。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN217933824U

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该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20221129

✅ 授权

一种可调节的玻璃翻转机构

当前第 / 件

一种用于GaN功率器件高阻层外延结构

同领域国内专利 · IPC: (H01L33_12)

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