一种基于SI基GAN的Micro LED的外延

摘     要：本实用新型公开了一种基于Si基GAN的Micro LED的外延结构，所述Micro LED的外延结构的Si基外延从下到上依次包括：Si衬底、单晶ALN缓冲层、ALGaN应力调节层、低掺杂Si浓度的NGaN层、n型AlGan层、高掺杂Si浓度NGan层、MQW层、电子阻挡层、PGan层和接触层；其中，MQW层为至少一个GaN/AlGaN/InGaN层。该结构利于硅基衬底湿法剥离，制备垂直结构Micro LED芯片，节省后制程成本，提高良率。该结构具体限定了ALN层为单晶缓冲ALN层，其有效改善了Micro‑LED的晶体质量和外观缺陷。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注