咨询电话:13280638997
传真:0533-3110363
邮箱:kefu@shizifang.com
著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202221325826.1 | 专利名称: | 一种用于GaN功率器件高阻层外延结构 |
申请日: | 2022-05-30 | 申请/专利权人 | 河源市众拓光电科技有限公司 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 广东省河源市高新技术开发区高新五路、泥金路西边 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/06分类检索 半导体专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2023-05-09 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN218996722U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本实用新型公开了一种用于GaN功率器件高阻层外延结构,包括衬底,以及从下到上依次形成于衬底上的:成核层、应力控制层和高阻GaN层,其中,高阻GaN层包含周期交替的Fe掺杂GaN层与自主C掺杂GaN层,这种周期交替类似超晶格的生长方式,极大的减弱了Fe源掺杂所带来的记忆效应,避免了Fe源记忆效应对GaN沟道的影响,同时又能弥补自主C掺杂的不均匀性,全面保证高阻层的耐压特性。本实用新型的外延材料在保持高阻特性的情况下,弥补了现阶段主流高阻层生长方法的不足,实现了材料耐压稳定性提升。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
2018114077740 | 【发明】一种高速开关二极管芯片及生产工艺 | 2025/06/13 |
2022218723128 | 【实用新型】一种轴向肖特基二极管芯片自动焊接装置 | 2025/06/12 |
202011470924X | 【发明】一种同时优化击穿特性和反向特性的GaNHEMT器件及其制作工艺 | 2025/05/21 |
2019800003918 | 【】1T1R阻变式存储器及其制作方法、晶体管和设备 | 2025/05/21 |
2021101791185 | 【发明】一种基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 | 2025/04/21 |
2016110512594 | 【发明】一种改进的结型场效应管 | 2025/04/11 |
2021110318519 | 【发明】一种基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料的制备装置 | 2025/07/18 |
2022225058340 | 【实用新型】一种耦合板HEMT器件 | 2025/06/26 |
2022225058209 | 【实用新型】一种肖特基势垒二极管 | 2025/02/25 |
2022216898058 | 【实用新型】一种氮化镓高电子迁移率晶体管 | 2025/06/26 |