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| 专利/申请号： | CN202221325826.1 | 专利名称： | 一种用于GaN功率器件高阻层外延结构 |
| 申请日： | 2022-05-30 | 申请/专利权人 | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 专利类型： | 实用新型 | 地址： | 广东省河源市高新技术开发区高新五路、泥金路西边 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L29/06分类检索 半导体专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 2023-05-09 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN218996722U | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：本实用新型公开了一种用于GaN功率器件高阻层外延结构，包括衬底，以及从下到上依次形成于衬底上的：成核层、应力控制层和高阻GaN层，其中，高阻GaN层包含周期交替的Fe掺杂GaN层与自主C掺杂GaN层，这种周期交替类似超晶格的生长方式，极大的减弱了Fe源掺杂所带来的记忆效应，避免了Fe源记忆效应对GaN沟道的影响，同时又能弥补自主C掺杂的不均匀性，全面保证高阻层的耐压特性。本实用新型的外延材料在保持高阻特性的情况下，弥补了现阶段主流高阻层生长方法的不足，实现了材料耐压稳定性提升。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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