实用新型已授权

一种用于GaN功率器件高阻层外延结构

📄 申请号：CN202221325826.1 📄 发布日：2025/10/24

著录项目信息

申请日

2022-05-30

公开号

CN218996722U

公开日

2023-05-09

申请人

河源市众拓光电科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_20 , H01L29_207 , H01L21_335 ,

技术画像

所属领域

半导体外延结构半导体外延结构氮化镓功率器件半导体材料

应用场景

功率半导体, 电力电子, 高频器件

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摘要

本实用新型公开了一种用于GaN功率器件高阻层外延结构，包括衬底，以及从下到上依次形成于衬底上的：成核层、应力控制层和高阻GaN层，其中，高阻GaN层包含周期交替的Fe掺杂GaN层与自主C掺杂GaN层，这种周期交替类似超晶格的生长方式，极大的减弱了Fe源掺杂所带来的记忆效应，避免了Fe源记忆效应对GaN沟道的影响，同时又能弥补自主C掺杂的不均匀性，全面保证高阻层的耐压特性。本实用新型的外延材料在保持高阻特性的情况下，弥补了现阶段主流高阻层生长方法的不足，实现了材料耐压稳定性提升。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230509

✅ 授权

一种基于SI基GAN的Micro LED的外延

当前第 / 件

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