专利名称：一种晶圆的生产工艺
申请号：2018104910108
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法律状态：已下证
类型：发明
关键词：半导体制造 晶圆加工
相似专利
发布日：2025/09/09
应用场景：集成电路制造中的晶圆级封装;先进制程节点下的多层结构成型;高密度互连器件的生产优化;半导体材料表面处理与平整化
专利名称：一种晶圆清洗固定装置
申请号：2024111399396
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法律状态：已下证
类型：发明
关键词：半导体制造 晶圆加工
相似专利
发布日：2025/09/04
应用场景：集成电路生产线中的晶圆清洗工序;半导体封装前的基板预处理;微纳加工领域的表面清洁工艺;光刻前的基底除尘处理;化合物半导体材料的蚀刻前准备
专利名称：一种打磨抛光设备及方法
申请号：2018111524494
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法律状态：已下证
类型：发明
关键词：半导体制造 半导体晶圆抛光 晶片打磨抛光 晶片抛光片 硅单晶SiGe Si外延片制备加工 芯片生产 电子元件加工
相似专利
发布日：2025/04/17
摘要： 本发明公开了一种打磨抛光设备及方法，包括底板，所述底板顶部设有滑动板，所述滑动板顶部设有批量承载机构，所述批量承载机构包括承载模框，所述承载模框上贯穿设有承载孔，所述承载模框顶部设有上承载板以及底部设有下承载板，所述滑动板上贯穿设有丝杆，所述丝杆一端设有正反电机以及另一端外侧套接设有限位板，所述底板顶部设有外罩，所述外罩上设有打磨抛光机构与余灰清理机构。本发明通过利用批量承载机构对多个晶片抛光片进行承载并利用打磨抛光机构完成打磨抛光操作，从而同时进行大批量的加工，有效提高打磨抛光效率，保证了晶片抛光片的生产效率，使用时也较为简单方便，设计合理，具有较高的实用性。
专利名称：图像传感器及其制造方法
申请号：2018114073792
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法律状态：授权未缴费
类型：发明
关键词：半导体制造 电信号 光电二极管 透镜材料 光盘磁盘 存储器 感光材料
相似专利
发布日：2025/02/05
摘要： 本发明技术方案公开了一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立排列的光电二极管；滤色片，位于所述半导体衬底上且对应于所述光电二极管；微透镜，位于所述滤色片上，所述微透镜中掺有感光变色材料。本发明技术方案利用可变色微透镜在强光下呈深色的特性来减少光线进入量，从而改善图像的过曝光现象，提高图像传感器的性能。
专利名称：一种用于晶圆生产离子注入的控制装置
申请号：2018111665399
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法律状态：已下证
类型：发明
关键词：半导体制造
相似专利
发布日：2025/09/18
应用场景：集成电路制造中的掺杂工艺优化;晶圆级纳米尺度材料改性;半导体器件性能调控
专利名称：制造半导体装置的方法
申请号：2018111036185
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法律状态：已下证
类型：发明
关键词：半导体制造 半导体器件 半导体设备
相似专利
发布日：2024/11/01
摘要： 本公开涉及制造半导体装置的方法。所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底，其中在所述半导体衬底的前侧中具有第一开口，并且所述第一开口中填充有第一隔离件；在所述第一隔离件的两侧形成延伸到所述半导体衬底内的第一沟槽，所述第一沟槽与所述第一隔离件邻接并且在所述半导体衬底内延伸到比所述第一隔离件更深的位置；形成填充在所述第一沟槽中的第二隔离件；将所述半导体衬底的背侧减薄，以从所述半导体衬底的背侧暴露所述第二隔离件的一部分；从所述半导体衬底的背侧去除由所述第一隔离件和所述第二隔离件围绕的区域中的所述半导体衬底，以形成第二沟槽；去除所述第二沟槽的底部处的所述第一隔离件，由此形成硅通孔TSV结构。
专利名称：半导体结构和半导体结构的形成方法
申请号：2019106332022
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法律状态：已下证
类型：发明
关键词：半导体制造 半导体电路 半导体集成电路
相似专利
发布日：2025/03/03
摘要： 本申请公开了一种半导体结构的形成方法，该方法包括：在半导体衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构；在半导体衬底以及第一栅极结构和第二栅极结构的表面形成第一介电层；在第一介电层的表面形成第一层间介质层；在第一栅极结构和第二栅极结构之间形成第一开口，第一开口暴露所述第一介电层；在第一层间介质层的表面沉积第二层间介质层，其中，第二层间介质层填充第一开口的开口端的一部分；刻蚀第二层间介质层以形成第二开口，第二开口暴露第一开口；以及在第一开口和第二开口内填充金属材料以形成第一导线层。本申请还公开了一种半导体结构。
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