专利名称：一种打磨抛光设备及方法      申请号：2018111524494     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体制造 半导体晶圆抛光 晶片打磨抛光 晶片抛光片 硅单晶SiGe Si外延片制备加工 芯片生产 电子元件加工   相似专利 发布日：2025/04/17  
摘要： 本发明公开了一种打磨抛光设备及方法，包括底板，所述底板顶部设有滑动板，所述滑动板顶部设有批量承载机构，所述批量承载机构包括承载模框，所述承载模框上贯穿设有承载孔，所述承载模框顶部设有上承载板以及底部设有下承载板，所述滑动板上贯穿设有丝杆，所述丝杆一端设有正反电机以及另一端外侧套接设有限位板，所述底板顶部设有外罩，所述外罩上设有打磨抛光机构与余灰清理机构。本发明通过利用批量承载机构对多个晶片抛光片进行承载并利用打磨抛光机构完成打磨抛光操作，从而同时进行大批量的加工，有效提高打磨抛光效率，保证了晶片抛光片的生产效率，使用时也较为简单方便，设计合理，具有较高的实用性。

专利名称：图像传感器及其制造方法      申请号：2018114073792     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：发明   关键词：半导体制造 电信号 光电二极管 透镜材料 光盘磁盘 存储器 感光材料   相似专利 发布日：2025/02/05  
摘要： 本发明技术方案公开了一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立排列的光电二极管；滤色片，位于所述半导体衬底上且对应于所述光电二极管；微透镜，位于所述滤色片上，所述微透镜中掺有感光变色材料。本发明技术方案利用可变色微透镜在强光下呈深色的特性来减少光线进入量，从而改善图像的过曝光现象，提高图像传感器的性能。

专利名称：一种半导体抛光用化学机械抛光机      申请号：2022108383444     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体制造 半导体器件 半导体设备 半导体抛光机 半导体工件加工   相似专利 发布日：2025/03/03  
摘要： 本发明公开了一种半导体抛光用化学机械抛光机，涉及半导体抛光技术领域，其技术方案要点包括：底座和抛光组件，所述抛光组件设置于底座上，用于将工件进行抛光；擦拭组件，设置于底座上，用于擦拭工件；所述抛光组件包括：抛光件，与底座固定连接，用于存储和传输抛光液。一种半导体抛光用化学机械抛光机，效果是：通过电机驱动转动杆正反转动，使与之连接的方块和安装件带动扫除件转动，达到了容器皿的底部以及工件抛光面上的抛光液，被扫除件擦除的效果，且转动杆连接的第二齿轮驱动第一齿轮转动，使伸缩件带动容器皿在抛光件移动，从而达到了在对工件抛光后，对工件进行擦拭的作用，避免了操作人员取出工件时，手部沾染化学抛光液。

专利名称：一种用于晶圆刻蚀设备的切割装置      申请号：2018110602481     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体制造 芯片生产 单晶硅圆片 晶片加工 晶圆流片加工 硅晶柱切割 电子元件加工   相似专利 发布日：2025/04/17  
摘要： 本发明涉及晶圆流片加工生产附属装置的技术领域，特别是涉及一种用于晶圆刻蚀设备的切割装置，其可以降低安全隐患，提高硅晶柱切割过程中的稳定性，提高切割精度，提高切割效果，降低使用局限性；并且传动皮带在长时间使用过程中，可对松弛的传动皮带进行张紧调节，提高传动效果，提高使用可靠性；包括操作板、四组支腿、后侧板、切割电机、传动皮带、金刚石切割片、左限位板、右限位板、左滑板、右滑板、顶板、调节丝杠、带动电机、两组左上导轮、两组左下导轮、两组右上导轮、两组右下导轮、两组锁紧螺栓、上固定板、下固定板、左固定板、右固定板、螺纹管、螺纹杆、调节板和张紧轮，后侧板的中部的左侧和右侧均纵向设置有燕尾滑槽。

专利名称：一种晶圆流片生产用光刻辅助装置      申请号：2018110602301     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体制造 芯片生产 单晶硅圆片 晶片加工 流片光刻辅助焊接 电子元件加工   相似专利 发布日：2025/04/17  
摘要： 本发明涉及晶圆流片生产附属装置的技术领域，特别是涉及一种晶圆流片生产用光刻辅助装置，其可增强晶圆流片在支撑架上的稳固性，避免其在焊接过程中移位，提高焊接效果；同时能根据工作人员需求对其焊接时与晶圆流片间距离进行调整，提高适应能力，降低使用局限性；且增强焊接过程中对工作人员的保护效果，提高使用可靠性；包括工作台、底座、焊枪和支撑架，焊枪放置在工作台顶端右侧；还包括四组支撑件，支撑件包括第一螺纹管、第一螺纹杆、第一滚珠轴承和支撑板，第一螺纹杆顶端与支撑板底端连接；还包括四组固定件；还包括两组调节件、两组连接件和透明防护板，支撑架位于两组调节件之间，透明防护板左右两端分别与两组连接件连接。

专利名称：制造半导体装置的方法      申请号：2018111036185     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体制造 半导体器件 半导体设备   相似专利 发布日：2024/11/01  
摘要： 本公开涉及制造半导体装置的方法。所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底，其中在所述半导体衬底的前侧中具有第一开口，并且所述第一开口中填充有第一隔离件；在所述第一隔离件的两侧形成延伸到所述半导体衬底内的第一沟槽，所述第一沟槽与所述第一隔离件邻接并且在所述半导体衬底内延伸到比所述第一隔离件更深的位置；形成填充在所述第一沟槽中的第二隔离件；将所述半导体衬底的背侧减薄，以从所述半导体衬底的背侧暴露所述第二隔离件的一部分；从所述半导体衬底的背侧去除由所述第一隔离件和所述第二隔离件围绕的区域中的所述半导体衬底，以形成第二沟槽；去除所述第二沟槽的底部处的所述第一隔离件，由此形成硅通孔TSV结构。

专利名称：半导体结构和半导体结构的形成方法      申请号：2019106332022     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体制造 半导体电路 半导体集成电路   相似专利 发布日：2025/03/03  
摘要： 本申请公开了一种半导体结构的形成方法，该方法包括：在半导体衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构；在半导体衬底以及第一栅极结构和第二栅极结构的表面形成第一介电层；在第一介电层的表面形成第一层间介质层；在第一栅极结构和第二栅极结构之间形成第一开口，第一开口暴露所述第一介电层；在第一层间介质层的表面沉积第二层间介质层，其中，第二层间介质层填充第一开口的开口端的一部分；刻蚀第二层间介质层以形成第二开口，第二开口暴露第一开口；以及在第一开口和第二开口内填充金属材料以形成第一导线层。本申请还公开了一种半导体结构。