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摘 要:本发明公开了一种双波长紫外发光二极管外延层结构,包括由下至上依次叠置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Alx1Ga1‑x1N缓冲层、第一Ga2O3层、第一AlN层、Alx2In1‑x2‑y1Gay1N层、n型Alx3Ga1‑x3N层、量子势垒势阱层、p型Alx7Ga1‑x7N电子阻挡层、p型Alx8Ga1‑x8N层、Alx9In1‑x9‑y2Gay2N层、第二AlN层、第二Ga2O3层和p型GaN层,Alx1Ga1‑x1N缓冲层和第二Ga2O3层的上表面均设有微结构,量子势垒势阱层包括层叠设置的若干周期层,周期层为由下至上依次叠至的Alx4Ga1‑x4N量子势垒层、Alx5Ga1‑x5N量子势阱层、Alx6Ga1‑x6N量子势阱层、Alx4Ga1‑x4N量子势垒层、Alx6Ga1‑x6N量子势阱层和Alx5Ga1‑x5N量子势阱层,Alx5Ga1‑x5N量子势阱层和Alx6Ga1‑x6N量子势阱层具有不同的发光波长。本发明还公开了双波长紫外发光二极管外延层结构的制备方法。本发明解决了衬底和p型GaN层对于紫外光的吸收引起的出光率低的问题,提高了载流子分布均匀性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202210091615.4 | 专利名称: | 一种双波长紫外发光二极管外延层结构及其制备方法 |
申请日: | 2022-01-26 | 申请/专利权人 | 常熟理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市常熟市南三环路99号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/06搜分类 电子元器件 发光二极管 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |