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| 专利/申请号： | CN201010570769.9 | 专利名称： | 提高发光效率的GaN基LED外延片及其制备与应用 |
| 申请日： | 2010-12-02 | 申请/专利权人 | 山东华光光电子有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 山东省济南市高新区天辰大街1835号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L33/04分类检索 半导体专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 2014-08-13 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN102487113B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：本发明涉及一种提高发光效率的GaN基LED外延片及其制备与应用。使用掺镁的铟镓氮和掺镁的氮化镓的多周期重复结构来代替传统的P型掺镁氮化镓层，一方面利用铟镓氮和氮化镓的极化效应产生较高的载流子浓度，不需要再次进行氮气退火。另一方面利用铟镓氮和氮化镓的多周期重复结构产生的表面空洞实现表面粗化，提高了氮化镓发光二极管的发光效率。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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