发明专利 已授权

提高发光效率的GaN基LED外延片及其制备与应用

📄 申请号:CN201010570769.9 📄 发布日:2026/08/03

著录项目信息

申请日
2010-12-02
公开号
CN102487113B
公开日
2014-08-13
申请人
山东华光光电子有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

LED照明, 显示器件, 背光源, 光通信

摘要

本发明涉及一种提高发光效率的GaN基LED外延片及其制备与应用。使用掺镁的铟镓氮和掺镁的氮化镓的多周期重复结构来代替传统的P型掺镁氮化镓层,一方面利用铟镓氮和氮化镓的极化效应产生较高的载流子浓度,不需要再次进行氮气退火。另一方面利用铟镓氮和氮化镓的多周期重复结构产生的表面空洞实现表面粗化,提高了氮化镓发光二极管的发光效率。

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这项专利是否已经下证?

是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN102487113B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图2
图3

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