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| 专利/申请号： | CN202011389027.6 | 专利名称： | 一种可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法 |
| 申请日： | 2020-12-01 | 申请/专利权人 | 木昇半导体科技(苏州)有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼2301-12 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L33/00 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2021-11-05 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN112687768B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 87 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本发明涉及一种可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法，包括如下步骤：在金刚石衬底上生长AlN层；在所述AlN层上生长n型AlGaN层；在所述n型AlGaN层上依次生长AlGaN阱层、AlGaN/AlN过度层和C基金刚石层、AlN量子垒层，重复生长若干组AlGaN阱层、AlGaN/AlN过度层和C基金刚石层形成多量子阱层；在所述多量子阱层上生长P型AlGaN层。本发明可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法可直接调整外延结构中C基金刚石偏振光栅过滤结构，达到所需的偏振光源，无需外部附加涂覆薄膜调制结构，避免了过多光功率的损失，由该方法制作的UV紫外光电芯片，直接发出的光就是所定制需求的偏振光源。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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