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摘 要:本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片,从下至上依次包括衬底层、粘结层、键合层、阻挡层、N电极层、绝缘反射层、欧姆接触层、外延片和分布在外延片外侧的P电极,所述外延片从下至上依次包括p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和n‑GaN层。由于N电极通过隔离槽穿过绝缘反射层、欧姆接触层、p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层,并与n‑GaN层形成欧姆接触,不仅能减少对发光面出光的遮挡,改善了芯片边缘与孔内暗区等现象,发光光斑较为规则,更有利于产业链下游的光路设计;同时还在芯片内部形成更好的导热通道,从而改善了局部电流拥堵的问题,使得LED芯片在使用过程中局部温度过高的问题得到了大幅改善,甚至完全解决,从而延长了LED芯片的使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
著 录 项:
专利/申请号: | CN202020458059.6 | 专利名称: | 一种垂直结构LED芯片 |
申请日: | 2020-04-01 | 申请/专利权人 | 河源市众拓光电科技有限公司 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 广东省河源市高新技术开发区兴业大道东边、高新一路创业服务中心三楼317室 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/38搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2020-12-11 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN212136470U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |