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| 专利/申请号： | CN202020458059.6 | 专利名称： | 一种垂直结构LED芯片 |
| 申请日： | 2020-04-01 | 申请/专利权人 | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 专利类型： | 实用新型 | 地址： | 广东省河源市高新技术开发区兴业大道东边、高新一路创业服务中心三楼317室 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L33/38 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2020-12-11 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN212136470U | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 82 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，从下至上依次包括衬底层、粘结层、键合层、阻挡层、N电极层、绝缘反射层、欧姆接触层、外延片和分布在外延片外侧的P电极，所述外延片从下至上依次包括p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和n‑GaN层。由于N电极通过隔离槽穿过绝缘反射层、欧姆接触层、p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层，并与n‑GaN层形成欧姆接触，不仅能减少对发光面出光的遮挡，改善了芯片边缘与孔内暗区等现象，发光光斑较为规则，更有利于产业链下游的光路设计；同时还在芯片内部形成更好的导热通道，从而改善了局部电流拥堵的问题，使得LED芯片在使用过程中局部温度过高的问题得到了大幅改善，甚至完全解决，从而延长了LED芯片的使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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| 2017106004531 | 【发明】一种深紫外LED | 2025/10/23 |
| 201710359384X | 【发明】一种紫外LED倒装芯片 | 2025/10/23 |
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