一种GaN基纳米多孔结构Micro-LED器件

摘     要：本发明涉及GaN基光电器件领域，具体公开了一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，包括n‑GaN层、量子阱InGaN层、p‑GaN层、Si衬底、纳米多孔GaN和偶极子源；所述p‑GaN层、量子阱InGaN层、n‑GaN层和纳米多孔GaN由下到上依次设置在Si衬底上；所述偶极子源设置在量子阱InGaN层内；所述纳米多孔GaN含有周期性纳米多孔结构阵列。本发明的器件工作在TE模的偶极子源下，由于GaN纳米多孔结构阵列，可打破界面全反射，促进光子从逃逸锥中辐射出来，更易激发载流子的自发辐射效应，达到提高Purcell因子和光提取效率的目的。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注