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本发明公开了一种实现短波长紫外LED的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层和P型GaN层，所述衬底为蓝宝石衬底，所述GaN缓冲层的厚度为20～25nm，生长温度为530‑550℃，并在1030‑1080℃恒温6‑8分钟使GaN缓冲层重结晶，所述未掺杂的GaN层的厚度为2.0～2.5μm，生长温度为1030‑1080℃，所述掺杂N型GaN层的厚度为2.5‑3μm，生长温度为1030‑1080℃。本发明采用渐变P型AlGaN层，能减少极化效应，削弱电子阻挡层EBL到P型层之间的能带弯曲，使得红移现象得到改善，呈现更短的发光波长，发光强度也随之增大。

本发明公开了一种LED芯片、LED外延片及其制备方法，其中，LED外延片可以包括金属衬底、设置在金属衬底表面的GaN成核层、设置在GaN成核层表面的N型GaN层、设置在N型GaN层表面的多量子阱层、设置在多量子阱层表面的GaN阻挡层、设置在GaN阻挡层表面的P型GaN层。本申请公开的上述技术方案，直接利用金属衬底作为LED外延片的衬底，由于整个金属衬底都可以导电，因此，则可以对N型GaN层的电流实现扩展，以使电流均匀分布，从而可以提高内量子效率。另外，由于可以直接在金属衬底上设置电极，因此，则可以不再需要通过刻蚀来在N型GaN层上制备电极，从而可以增大LED外延片的有效发光区域。

本实用新型公开了一种发光二极管，发光二极管包括依次层叠的硅衬底、缓冲层、非故意掺杂层、氮化镓复合层、多量子阱发光层、电子阻挡层以及第一氮化镓层；其中，氮化镓复合层包括依次层叠的第二氮化镓层、氮化铝镓层、第三氮化镓层以及第四氮化镓层，上述发光二极管结构中通过设置氮化镓复合层包括依次层叠的第二氮化镓层、氮化铝镓层、第三氮化镓层以及第四氮化镓层，可有效改善氮化镓复合层中氮化镓的电子迁移、减少漏电通道，从而提高发光二极管的抗静电能力和反向漏电能力。

本发明涉及一种全光二极管，具体涉及一种基于法拉第电磁感应定律的传光方向可调的全光二极管，全光二极管包括磁光材料和金属纳米线，金属纳米线镶嵌在磁光材料内，一束激光聚焦在金属纳米线的中部，金属纳米线两端接直流电源(DC)的正极和负极。该全光二极管基于法拉第电磁感应定律和表面等离子体共振技术，能够有效调制光源传播方向并且可以将设备半径限制在纳米尺度，为实现传光方向可控的全光二极管提供了理论指导；对拓宽表面等离子体共振的应用领域，提升光二极管工作稳定性具有重要的参考价值。

本发明公开一种氮化物半导体白光发光二极管，所述V‑pits经过纳米位错过滤模板过滤位错后，在多量子阱区域形成均匀分布的V‑pits，所述V‑pits包含第一V‑pits和第二V‑pits，所述第一和第二V‑pits之间的多量子阱发出蓝光，第一V‑pits开口位置具有WS2/MoS2超晶格二维材料发出红光，第二V‑pits开口位置具有GaS/InSe超晶格二维材料发出绿光，红绿蓝光混合形成白光，降低成本，提升发光效率。