本发明公开了一种大功率高亮度发光二极管芯片及其制造方法,它包括:一个金属衬底,在金属衬底之上设有嵌入准光子晶体结构的LED外延片,外延片两侧设有钝化保护层;所述外延片自下向上依次设有:金属键合层、金属反射层、电流扩展和P型欧姆接触层、P型半导体层、发光层、嵌入准光子晶体结构的N型半导体层、N型欧姆接触电极;所述钝化保护层位于金属衬底之上外延片两侧。还公开了该芯片的制造方法。本发明同时解决LED芯片的高效取光和有效散热的问题,克服表面了光子晶体LED结构的缺陷,为大功率、高亮度LED的开发提供一种有效解决方案。
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📂 H01L33_20
👤 青岛理工大学
📅 2011-09-14