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本发明公开了一种大功率高亮度发光二极管芯片及其制造方法,它包括:一个金属衬底,在金属衬底之上设有嵌入准光子晶体结构的LED外延片,外延片两侧设有钝化保护层;所述外延片自下向上依次设有:金属键合层、金属反射层、电流扩展和P型欧姆接触层、P型半导体层、发光层、嵌入准光子晶体结构的N型半导体层、N型欧姆接触电极;所述钝化保护层位于金属衬底之上外延片两侧。还公开了该芯片的制造方法。本发明同时解决LED芯片的高效取光和有效散热的问题,克服表面了光子晶体LED结构的缺陷,为大功率、高亮度LED的开发提供一种有效解决方案。
📄 201110271678X 📂 H01L33_20 👤 青岛理工大学 📅 2011-09-14
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发明 已授权

一种大功率高亮度发光二极管芯片及其制造方法

201110271678X · 青岛理工大学
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
受让方:××新能源科技有限公司
交易类型:独占许可
交易金额:¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万

SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年