专利交易市场

本发明提供了一种InGaN基LED外延片及其制备方法，其中InGaN基LED外延片包括：衬底；InGaN层片，形成于所述衬底的一侧表面，其In含量在40％至90％之间，以确保所述LED外延片能够发射长波长光或近红外射线；p型金属氧化物层片，形成于所述InGaN层片的背朝所述衬底的一侧表面上，以用作对所述InGaN层片的空穴注入层。由于p型金属氧化物(特别是Cu2O)可以容易地实现高p型导电性，实现很高的空穴迁移率，因此本发明中的p型金属氧化物层片可以有效地用作InGaN层片的空穴注入层，从而避免使用现有技术中的宽带隙低In含量的p型InGaN或纯GaN作为空穴注入层。

本实用新型为一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构。该结构主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、电子注入层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层和P‑型重掺杂半导体传输层。其中，电子注入层通过AIN组分和掺杂浓度来精确调控N‑型AlGaN层内极化电场和耗尽电场，从而降低电子注入有源区时的能量，提高量子阱对电子的捕获能力，使器件性能得到大幅提升，且材料生长难度低，可重复性强。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

本发明公开了一种紫外发光二极管，包括蓝宝石衬底与GaN缓冲层，所述紫外发光二极管包括GaN纳米线层与GaN纳米线融合层；所述GaN纳米线层设置在所述紫外发光二极管的蓝宝石衬底表面；所述GaN纳米线层包括GaN纳米线，所述GaN纳米线的两端分别连接所述GaN纳米线融合层和所述蓝宝石衬底，实现所述GaN纳米线融合层与所述蓝宝石衬底间的电连接；所述GaN纳米线融合层设置在所述GaN纳米线层与所述紫外发光二极管的GaN缓冲层之间。本发明通过将传统的GaN层替换成GaN纳米线层，减少了GaN材料与衬底的接触面积，同时也就减少了接触面间的缺陷和位错，提升了内量子效率，进而提高了元件效率。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的紫外发光二极管的制作方法。

本发明公开了一种深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法，其中，制备方法包括：在衬底上生长AlGaN缓冲层，并在AlGaN缓冲层上生长N型AlGaN层；在N型AlGaN层上生长Al组分渐变的N型AlGaN层，并在Al组分渐变的N型AlGaN层上生长Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区；在Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区上生长AlGaN阻挡层，并在AlGaN阻挡层上生长P型GaN层。本申请公开的上述技术方案，由于生长Al组分渐变的N型AlGaN层在生长有源区之前，因此，则不会引起有源区能带结构发生变化，从而可以提高深紫外LED芯片的发光效率。